功率场效应晶体管MOSFET 1.概述 MOSFET 的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor 金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor 场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。 功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS 型(Metal Oxide Semiconductor FET),简称功率MOSFET(Power MOSFET)。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(Static Induction Transistor——SIT)。其特点是用栅极电压来控制漏极电流,驱动电路简单,需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于GTR,但其电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过 10kW 的电力电子装置。 2.功率MOSFET 的结构和工作原理 功率MOSFET 的种类:按导电沟道可分为 P 沟道和 N 沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于 N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET 主要是N 沟道增强型。 2.1 功率MOSFET 的结构 功率MOSFET 的内部结构和电气符号如图 1 所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电,是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS 管相同,但结构上有较大区别,小功率MOS 管是横向导电器件,功率MOSFET 大都采用垂直导电结构,又称为 VMOSFET(Vertical MOSFET),大大提高了 MOSFET 器件的耐压和耐电流能力。 按垂直导电结构的差异,又分为利用V 型槽实现垂直导电的VVMOSFET 和具有垂直导电双扩散 MOS 结构的VDMOSFET(Vertical Double-diffused MOSFET),本文主要以VDMOS器件为例进行讨论。 功率MOSFET 为多元集成结构,如国际整流器公司(International Rectifier)的HEXFET采用了六边形单元;西门子公司(Siemens)的SIPMOSFET 采用了正方形单元;摩托罗拉公司(Motorola)的TMOS 采用了矩形单元按“品”字形排列。 2.2 功率MOSFET 的工作原理 截止:漏源极间加正电源,栅源极间电压为零。P 基区与 N 漂移区之间形成的PN 结 J1反偏,漏源极之间无电流流过。 导电:在栅源极间加正电压 UGS,栅极是绝缘的,所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面 P 区中的空穴推开,而将 P 区中的少子—电子吸引到栅极下面的P 区表面 当 UGS 大于 UT(开启电压或阈值电压)时,栅极下 P 区表面的...