第四章习题及答案 1. 300K时，Ge的本征电阻率为47cm，如电子和空穴迁移率分别为3900cm2/( V.S)和1900cm2/( V.S)。 试求 Ge 的载流...
第五章习题 1. 在一个n 型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm-3, 空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。 2. 用强光照射 n 型样品...
第三章习题和答案 1. 计算能量在E=Ec到2*n2CL2m100EE 之间单位体积中的量子态数。 解： 2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状...
第一章习题 1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为： Ec=0220122021202236)(,)(3mkhmkhk...
第一章习题 1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为： Ec=0220122021202236)(,)(3mkhmkhk...
第一章习题 1．设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为： EC（K）=0220122021202236)(,)(3...
第一章习题 1．设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为： Ec=0220122021202236)(,)(3mkhmk...
第一章习题1．设晶格常数为 a的一维晶格，导带极小值附近能量 Ec(k)和价带极大值附近能量 EV(k)分别为：Ec=0220122021202236)(,)(3mkhmk...
