半导体物理学(刘恩科第七版)课后习题解第五章习题及答案

第五章习题 1. 在一个n 型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm-3, 空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。 2. 用强光照射 n 型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为,空穴寿命为。 （1）写出光照下过剩载流子所满足的方程； （2）求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。 3. 有一块 n 型硅样品，寿命是 1us，无光照时电阻率是 10•cm。今用光照射该样品，光被半导体均匀的吸收，电子-空穴对的产生率是 1022cm-3•s-1,试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数在流子的贡献占多大比例？ scmpUscmpUp3171010010313/10U100,/10613得：解：根据？求：已知：gpgpdtpdgAetpgpdtpdLLtL.00)2()(达到稳定状态时，方程的通解：梯度，无飘移。解：均匀吸收，无浓度cmspqnqqpqnpqnpcmqpqncmgnpgppnpnpnpnL/06.396.21.0500106.1101350106.11010.0:101:1010100.1916191600'000316622光照后光照前光照达到稳定态后 4. 一块半导体材料的寿命=10us，光照在材料中会产生非平衡载流子，试求光照突然停止20us 后，其中非平衡载流子将衰减到原来的百分之几？ 5. n 型硅中，掺杂浓度ND=1016cm-3, 光注入的非平衡载流子浓度n=p=1014cm-3。计算无光照和有光照的电导率。 %2606.38.006.3500106.1109.,..32.01191610''puppppcm的贡献主要是所以少子对电导的贡献献少数载流子对电导的贡。后，减为原来的光照停止%5.1320%5.13)0()20()0()(1020seppeptptcmsqnqupqnpppnnncmpcmncmpncmnKTnpni/16.21350106.110:,/1025.2,10/10.105.1,30019160000003403160314310无光照则设半导体的迁移率）本征空穴的迁移率近似等于的半导体中电子、注：掺杂有光照131619140010(/19.20296.016.2)5001350(106.11016.2)(:cmcmsnqqpqnpqnqpnpnpn6. 画出p 型半导体在光照（小注入）前后的能带图，标出原来的的费米能级和光照时的准费米能级。 7. 掺施主浓度 ND=101 5cm- 3 的n 型硅，由于光的照射产生了非平衡载流子n=p=101 4cm- 3。试计算这种情...