开关电源设计细节详解1、电源设计工程前期各个参数注意细节借鉴下 NXP的这个 TEA1832图纸做个说明。分析里面的电路参数设计与优化并做到认证至量产。在所有的元器件中尽量选择公司仓库里面的元件，和量大的元件，方便后续降成本拿价格。贴片电阻采用0603 的 5％，0805 的 5％，1％，贴片电容容值越大价格越高，设计时需考虑。1、输入端， FUSE选择需要考虑到I ＾2T 参数。保险丝的分类，快断，慢断，电流，电压值，保险丝的认证是否齐全。保险丝前的安规距离 2．5mm以上。设计时尽量放到3mm以上。需考虑打雷击时，保险丝 I2T 是否有余量，会不会打挂掉。2、这个图中可以增加个压敏电阻，一般采用14D471，也有采用 561的，直径越大抗浪涌电流越大，也有增强版的10S471，14S471 等，一般 14D471 打 1KV，2KV 雷击够用了，增加雷击电压就要换成MOV＋GDT了。有必要时，压敏电阻外面包个热缩套管。3、NTC，这个图中可以增加个NTC，有的客户有限制冷启动浪涌电流不超过60A，30A，NTC 的另一个目的还可以在雷击时扛部分电压，减下 MOSFET的压力。选型时注意NTC的电压，电流，温度等参数。4、共模电感，传导与辐射很重要的一个滤波元件，共模电感有环形的高导材料5K，7K，0K，12K，15K，常用绕法有分槽绕，并绕，蝶形绕法等，还有UU型，分 4 个槽的 ET 型。这个如果能共用老机种的最好，成本考虑，传导辐射测试完成后才能定型。5、X 电容的选择，这个需要与共模电感配合测试传导与辐射才能定容值，一般情况为功率越大X电容越大。6、如果做认证时有输入L，N 的放电时间要求，需要在X 电容下放2 并 2 串的电阻给电容放电。7、桥堆的选择一般需要考虑桥堆能过得浪涌电流，耐压和散热，防止雷击时挂掉。8、VCC的启动电阻，注意启动电阻的功耗，主要是耐压值，1206 的一般耐压 200V，0805 一般耐压 150V，能多留余量比较好。9、输入滤波电解电容，一般看成本的考虑，输出保持时间的10mS，按照电解电容容值的最小情况80％容值设计，不同厂家和不同的设计经验有点出入，有一点要注意普通的电解电容和扛雷击的电解电容，电解电容的纹波电流关系到电容寿命，这个看品牌和具体的系列了。10、输入电解电容上有并联一个小瓷片电容，这个平时体现不出来用处，在做传导抗扰度时有效果。11、RCD吸收部分， R 的取值对应MOSFET上的尖峰电压值，如果采用贴片电阻需注意电压降额与功耗。C 一般取 102／103 1KV 的高压瓷片，整改辐射...
