考试时间： ( 第十周周二 6-8 节) 考试地点：待定《微电子器件原理》复习题及部分答案一、填空1、 PN 结电容可分为扩散电容和过渡区电容两种，它们之间的主要区别在于扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。2、当 MOSFET 器件尺寸缩小时会对其阈值电压V T 产生影响，具体地，对于短沟道器件对 V T 的影响为下降， 对于窄沟道器件对 V T 的影响为上升。3、在 NPN 型 BJT 中其集电极电流IC 受 V BE 电压控制，其基极电流 IB 受 V BE电压控制。4、硅 -绝缘体 SOI 器件可用标准的MOS 工艺制备，该类器件显著的优点是寄生参数小，响应速度快等。5、PN 结击穿的机制主要有雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿等等几种，其中发生雪崩击穿的条件为V B>6Eg/q。6、当 MOSFET 进入饱和区之后，漏电流发生不饱和现象，其中主要的原因有沟道长度调制效应，漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。二、简述1、Early 电压 V A；答案：2、截止频率 fT；答案：截止频率即电流增益下降到1 时所对应的频率值。3、耗尽层宽度 W。答案： P 型材料和 N 型材料接触后形成PN 结，由于存在浓度差，就会产生空间电荷区，而空间电荷区的宽度就称为耗尽层宽度W。4、雪崩击穿答案： 反偏 PN 中，载流子从电场中获得能量；获得能量的载流子运动与晶格相碰，使满带电子激出到导带，通过碰撞电离由电离产生的载流子（电子空穴对 ) 及原来的载流子又能通过再碰撞电离, 造成载流子倍增效应， 当倍增效应足够强的时候，将发生“雪崩 ”——从而出现大电流，造成PN 结击穿，此称为 “雪崩击穿 ”。5、简述正偏 PN 结的电流中少子与多子的转换过程。答案： N 型区中的电子 ,在外加电压的作用下 ,向边界 Xn 漂移,越过空间电荷区,在边界 Xp 形成非平衡少子分布 ,注入到 P 区的少子 ,然后向体内扩散形成电子扩散电流 ,在扩散过程中电子与对面漂移过来的空穴不断复合,结果电子扩散电流不断转为空穴漂移电流.空穴从 P 区向 N 区运动也类同 . 6、太阳电池和光电二极管的主要异同点有哪些？答案： 相同点：都是应用光生伏打效应工作的器件。不同点： a、太阳电池是把太阳能转换成光能的器件，光电二极管的主要作用是探测光信号；b、太阳电池有漏电流大，结电容较大，线性区和动态范围较窄等。而光电二极管漏电流小，响应速度...
