微电子器件课程复习题VIP免费

. . 1、若某突变 PN结的 P 型区的掺杂浓度为163A1.5 10 cmN，则室温下该区的平衡多子浓度pp0与平衡少子浓度 np0分别为（316105.1cmNA）和（314105.1cmNA）。2、在 PN结的空间电荷区中， P 区一侧带（负）电荷， N区一侧带（正）电荷。建电场的方向是从（N）区指向（ P）区。 [ 发生漂移运动，空穴向P区，电子向 N区] 3、当采用耗尽近似时， N型耗尽区中的 泊松方程为 （DSEuqdxd）。由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则建电场的斜率越（ 大）。4、PN结的掺杂浓度越高， 则势垒区的长度就越 （小），建电场的最大值就越 （大），建电势 Vbi 就越（大），反向饱和电流 I 0就越（小） [P20] ，势垒电容 CT就越（ 大 ），雪崩击穿电压就越（小）。5、硅突变结建电势Vbi 可表为（2lniDAbinNNqKTv）P9，在室温下的典型值为（0.8 ）伏特。6、当对 PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（减小），势垒区的势垒高度会（降低）。7、当对 PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（增大），势垒区的势垒高度会（提高）。8 、 在 P 型 中 性 区 与 耗 尽 区 的 边 界 上 ， 少 子 浓 度np 与 外 加 电 压V 之 间 的 关 系 可 表 示 为（)exp()(0KTqvpppnxn）P18。若 P型区的掺杂浓度173A1.5 10 cmN，外加电压 V = 0.52V ，则 P型区与耗尽区边界上的少子浓度np为（3251035.7cm ）。9、当对 PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（大）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（小）。10、PN结的正向电流由（空穴扩散）电流、（电子扩散）电流和（势垒区复合）电流三部分所组成。11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（多子 ）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（ 少子 ）。12、当对 PN结外加正向电压时，由N区注入 P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（复合）。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（e 分之一 ）。. . 13、PN 结扩散电流的表达式为（]1)[exp(0KTqvdndpdIJJJ）。这个表达式在正向电压下可简化为（)exp(0KTqvdJJ），在反向电压下可简化为（JJd）。14、在 PN结的正向电流中， 当电压较低时，以（势垒区复合）电流为主；当电压较高时，以（扩散）电流为主 。15、薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于（该区的...