微电子工艺技术 - 复习要点答案( 完整版 ) 第四章 晶圆制造1．CZ 法提单晶的工艺流程。说明CZ 法和 FZ 法。比较单晶硅锭 CZ、MCZ 和 FZ 三种生长方法的优缺点。答：1、溶硅 2、引晶 3、收颈 4、放肩 5、等径生长6、收晶。CZ 法：使用射频或电阻加热线圈，置于慢速转动的石英坩埚内的高纯度电子级硅在1415 度融化（ 需要注意的是熔硅的时间不宜过长）。将一个慢速转动的夹具的单晶硅籽晶棒逐渐降低到熔融的硅中，籽晶表面得就浸在熔融的硅中并开始融化，籽晶的温度略低于硅的熔点。当系统稳定后，将籽晶缓慢拉出，同时熔融的硅也被拉出。使其沿着籽晶晶体的方向凝固。籽晶晶体的旋转和熔化可以改善整个硅锭掺杂物的均匀性。FZ 法：即 悬浮区融法 。将一条长度50-100cm 的多晶硅棒垂直放在高温炉反应室。加热将多晶硅棒的低端熔化，然后把籽晶溶入已经熔化的区域。熔体将通过熔融硅的表面张力悬浮在籽晶和多晶硅棒之间，然后加热线圈缓慢升高温度将熔融硅的上方部分多晶硅棒开始熔化。此时靠近籽晶晶体一端的熔融的硅开始凝固，形成与籽晶相同的晶体结构。当加热线圈扫描整个多晶硅棒后，便将整个多晶硅棒转变成单晶硅棒。CZ 法优点：①所生长的单晶的直径较大，成本相对较低；②通过热场调整及晶转，坩埚等工艺参数的优化，可以较好的控制电阻率径向均匀性。缺点：石英坩埚内壁被熔融的硅侵蚀及石墨保温加热元件的影响，易引入氧、碳杂质，不易生长高电阻率单晶。FZ 法优点：①可重复生长，提纯单晶，单晶纯度较CZ 法高。②无需坩埚、石墨托，污染少③高纯度、高电阻率、低氧、低碳④悬浮区熔法主要用于制造分离式功率元器件所需要的晶圆。缺点：直径不如CZ法，熔体与晶体界面复杂，很难得到无位错晶体，需要高纯度多晶硅棒作为原料，成本高。MCZ ：改进直拉法优点：较少温度波动，减轻溶硅与坩埚作用，降低了缺陷密度，氧含量，提高了电阻分布的均匀性2．晶圆的制造步骤【填空】答： 1、整形处理：去掉两端，检查电阻确定单晶硅达到合适的掺杂均匀度。2、切片3、磨片和倒角4、刻蚀 5、化学机械抛光3. 列出单晶硅最常使用的两种晶向。 【填空】答： 111 和 100. 4. 说明外延工艺的目的。说明外延硅淀积的工艺流程。答： 在单晶硅的衬底上生长一层薄的单晶层。5. 氢离子注入键合SOI 晶圆的方法答： 1、对晶圆A 清洗并生成一定厚度的SO2 层。 2、注入一定的H 形成富含 H 的薄膜。 3、晶圆 A 翻转...
