MSP430F149 的存储器结构及FLASH 读写 1 概述 1.1 FLASH 特点 写操作只能将1 改写为0，不能将0 改写成1。FLASH 擦除后所有单元变为1，擦除操作只能针对整个段。FLASH 在擦除前不能被改写。 1.2 MSP430F149 存储器编址方式 MSP430F149 的ROM 为60K+256B 的FLASH,RAM 为2K。MSP430 存储器采用冯诺依曼结构，RAM 和ROM 合在一起编址。MSP430F149 内部集成有FLASH 控制器，可以简化对FLASH 的操作。 64K 的寻址空间分为RAM、FLASH。 RAM 分两块： 1、寄存器（0000H-01FFH），存放特殊寄存器、设备寄存器、变量与堆栈。 2、数据 RAM(01FFH-),存放各种变量、中间结果、堆栈。 FLASH 分两块： 1、主 FLASH 一般用于存放程序代码。 2 、信 息 FLASH(InfoFlash) 用 作掉电后 保存少 量数据。 分为InfoA(0X1080-0X10FF)和 InfoB(0X1000-0X1080)，每段各 128B。 1.3 操作 三种操作：读取、擦除（只能针对段擦除）、写入（可以写入单个字节）。 2 使用方法 2.1 程序架构 读取 FLASH 方法和读取 RAM 方法相同。写和擦除 FLASH 要进行如下配置： 配置寄存器 制定指针地址 写数据/复制数据 配置寄存器 2.2 参数配置 主要配置三个寄存器FCTL1，FCTL2，FCTL3。 1、配置FLASH 控制器时钟。时钟要求控制在 250-470Khz 之间。 FCTL2 = FWKEY + FSSEL0 + FN0; //2 分频 2、用指针指向地址 Unsigned char *ptr= (unsigned char *) 0x1080; 3 、 进 入 写模 式 或 擦 除 模 式FCTL1=FWKEY+WRT; 或FCTL1=FWKEY+ERASE 4、清除锁定位 FCTL3=FWKEY; 5、写数据 *ptr=0x30;或擦除*ptr=0； 6、退出写状态，恢复锁存 FCTL1=FWKEY; FCTL3=FWKEY+LOCK; 2.3 说明 上电FLASH 默认状态是读。为防止错误操作，FLASH 的三个寄存器FCTLX 都采用了密码核对机制FWKEY。 上电时FLASH 的InfoFLASH 区域值均为1，可直接进行写操作，但此后的写操作必须先擦除才能正确写入。 MSP430 系列单片机FLASH 擦写典型次数是10 万次，最低保证1万次。产品设计初期要规划好FLASH 的寿命，尽量不让某些需要频繁改动的数据保存在FLASH 中，这些数据可保存在RAM 中，在断电前才存入FLASH 中。 3 相关寄存器 1、FCTL2 FWKEY Bits 15-8 FCTLx password. Always read as 096h. Must be written as 0A5h or a PUC will be generated. FSSELx Bits 7−...
