由于现今智能手机要求的RF功能越来越多,这连带使得零件数目越来越多,且越来越要求轻薄短小[1],而零中频架构,由于具备了低成本,低复杂度,以及高整合度,这使得零中频架构的收发器,在手持装置,越来越受欢迎[2]
但连带也有一些缺失,其中一项便是所谓的VCO Pulling,如下图[3-6] : 在零中频架构中,因为主频讯号的频率与 LO 相同,所以有可能会泄漏并造成干扰,而整个发射路径中,最可能的泄漏来源为 PA 输出端与天线端,因为 PA 输出端的能量最强,因此会以传导方式干扰,而天线端则是会直接以辐射方式干扰,使调变精确度下降,导致相位误差,频率误差,以及EVM 都会有所劣化[6]
1由于PA的输入功率范围一向很广,以RFMD 的RF3225 为例,其输入功率范围为0 dBm ~ 6 dBm,这表示收发器的输出功率,即便扣掉Mismatch Loss与Insertion Loss,仍符合PA的输入功率范围,因此一般而言,较少调校此处的匹配
然而PA的输入端,其实也是 DA(Driver Amplifier)的Load-pull,因此这部分的匹配若没调校好,会使 DA 的线性度不够,导致在 PA输入端,发射性能已经不好,再加上 PA是主要的非线性贡献者,如此便会导致 PA输出端的发射性能更差[8]
除此之外,这部分的匹配若没调校好,会因反射而干扰 VCO,导致调变精确度下降,如下图[6] : 而PA输入端的匹配电路,其摆放位置需依平台而定,例如若为MTK的MT6252,则需靠近收发器,但若为高通的WTR1605L,则需靠近 PA[8-9]
2由[10]可知,像WCDMA 这种会用到振幅调变的讯号,只能用线性PA 作放大,亦即在升频过程中,是采用所谓的I/Q Modulation,如下图[11] : I/Q Modulation是直接将数字讯号的I/Q讯号,直接升频成R