精品文档 精品文档 湿法清洗及湿法腐蚀 目 录 一：简介 二：基本概念 三：湿法清洗 四：湿法腐蚀 五：湿法去胶 六：在线湿法设备及湿法腐蚀异常简介 七．常见工艺要求和异常 精品文档 精品文档 一：简 介 众所周知，湿法腐蚀和湿法清洗在很早以前就已在半导体生产上被广泛接受和使用，许多湿法工艺显示了其优越的性能。伴随 IC 集成度的提高,硅片表面的洁净度对于获得 IC 器件高性能和高成品率至关重要, 硅片清洗也显得尤为重要.湿法腐蚀是一种半导体生产中实现图形转移的工艺,由于其高产出,低成本,高可靠性以及有很高的选择比仍被广泛应用. 精品文档 精品文档 二 基本概念 腐蚀是微电子生产中使用实现图形转移的一种工艺，其目标是精确的去除不被MASK 覆盖 的材料，如图1： 图 1 腐蚀工艺的基本概念 ： ETCH RATE (E/R) ------腐蚀速率：是指所定义的膜被去除的速率或去除率，通常用Um/MIN，A/MIN为单位来表示。 E/R UNIFORMITY------ 腐蚀速率均匀性,通常用三种不同方式来表示: UNIFORMITY ACROSS THE WAFER WAFER TO WAFER LOT TO LOT 腐蚀速率均匀性计算 UNIFORMITY=（ERHIGH - ERLOW）/（ERHIGH + ERLOW）*100% SELECTIVITY-------选择比是指两种膜的腐蚀速率之比,其计算公式如下: SEL A/B= （E/R A）/（E/R B） 选择比反映腐蚀过程中对另一种材料（光刻胶或衬底）的影响，在腐蚀工艺中必须特别注意 SEL，这是实现腐蚀工艺的首要条件。 Good selectivity Poor selectivity (Undercut) ISOTROPY-------各向同性：腐蚀时在各个方向上具有相同的腐蚀速率；如湿法腐蚀就是各向同性腐蚀。具体如下图： ISOTROPY SIN PR PR SIN SIO2 SIO2 SU B PR PR 精品文档 精品文档 ANISOTROPY-------各向异性：腐蚀速率在纵向和横向上具有不同的腐蚀，一般纵向速率远大于横向速率；如干法腐蚀大多数是各向异性腐蚀。具体如下图： ANISOTROPY CD（CD LOSS）----条宽（条宽损失）：腐蚀对图形条宽的影响。 CD LOSS= PHOTO CD --FINAL CD LOADING EFFECT------ 负载效应：E/R 依赖于暴露的被腐蚀面积总量的一种现象，叫负载效应，一般在干法腐蚀工艺中较常用到。这包括两个方面 A）E/R 取决于在腔体中的硅片数，在这种情况下，由于腐蚀性粒子的消耗，其总体 E/R 会变慢。B）另一种是取决于单一硅片表面被腐蚀的面积。但须注意被腐蚀的面积会随工艺的进程而...
