(a) (b) (c) 图 XX_01 结型场效应管 如图XX_01(a)所示，在一块N 型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P 型区（用P+表示），就形成两个不对称的P+N 结。把两个P+区并联在一起，引出一个电极，称为栅极（g），在N 型半导体的两端各引出一个电极，分别称为源极（s）和漏极（d）。它们分别与三极管的基极（b）、发射极（e）和集电极（c）相对应。夹在两个P+N 结中间的N 区是电流的通道，称为导电沟道（简称沟道）。这种结构的管子称为N 沟道结型场效应管，它在电路中用图XX_01(b)所示的符号表示，栅极上的箭头表示栅、源极间P+N 结正向偏置时，栅极电流的方向（由P 区指向N 区） 。 实际的JFET 结构和制造工艺比上述复杂。N 沟道JFET 的剖面图如图XX_01(c)所示。图中衬底和中间顶部都是P+型半导体，它们连接在一起（图中未画出）作为栅极g。分别与源极s和漏极d 相连的N+区，是通过光刻和扩散等工艺来完成的隐埋层，其作用是为源极s、 漏极d提供低阻通路。三个电极s、 g、 d 分别由不同的铝接触层引出。 图 XX_02(a) (b) 如果在一块P 型半导体的两边各扩散一个高杂质浓度的N+区，就可以制成一个P 沟道的结型场效应管。图XX_02给出了这种管子的结构示意图和它在电路中的代表符号。 由结型场效应管代表符号中栅极上的箭头方向，可以确认沟道的类型。 N 沟道和P 沟道结型场效应管的工作原理完全相同，现以N 沟道结型场效应管为例，分析其工作原理。 图 XX_01 N 沟道结型场效应管工作时，也需要外加如图XX_01所示的偏置电压，即在栅极与源极间加一负电压(v GS＜ 0)，使栅、源极间的P+N 结反偏，栅极电流iG≈0，场效应管呈现很高的输入电阻(高达108左右)。在漏极与源极间加一正电压(v DS＞ 0)，使N 沟道中的多数载流子电子在电场作用下由源极向漏极作漂移运动，形成漏极电流iD。 iD 的大小主要受栅源电压v GS 控制，同时也受漏源电压v DS 的影响。因此，讨论场效应管的工作原理就是讨论栅源电压v GS 对漏极电流 iD（或沟道电阻）的控制作用，以及漏源电压v DS 对漏极电流iD 的影响。 1． v GS 对 iD 的控制作用 图 XX_02所示电路说明了v GS 对沟道电阻的控制作用。为便于讨论，先假设漏源极间所加电压v DS=0。当栅源电压v GS=0时，沟道较宽，其电阻较小。当v GS<0，且其大小增加时，在这个反偏电压的作用下，两个P+N 结耗尽层将加宽。由于N 区掺杂浓度小于P+区，因此，随...
