晶圆制造工艺流程VIP免费

晶圆制造工艺流程1、 表面清洗2、 初次氧化3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层 Si3N4 (Hot CVD 或 LPCVD) 。（1）常压 CVD (Normal Pressure CVD) （2）低压 CVD (Low Pressure CVD) （3）热 CVD (Hot CVD)/(thermal CVD) （4）电浆增强 CVD (Plasma Enhanced CVD) （5）MOCVD (Metal Organic?? CVD) & 分子磊晶成长 (Molecular Beam Epitaxy) （6）外延生长法 (LPE) 4、 涂敷光刻胶（1）光刻胶的涂敷（2）预烘 (pre bake) （3）曝光（4）显影（5）后烘 (post bake) （6）腐蚀 (etching) （7）光刻胶的去除5、 此处用干法氧化法将氮化硅去除6 、离子布植将硼离子 (B+3) 透过 SiO2 膜注入衬底，形成 P 型阱7、 去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理8、 用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷 (P+5) 离子，形成 N 型阱9、 退火处理，然后用 HF 去除 SiO2 层10、干法氧化法生成一层 SiO2 层，然后 LPCVD 沉积一层氮化硅11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的 SiO2 层，形成 PN 之间的隔离区13、热磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液去除栅隔离层位置的 SiO2 ，并重新生成品质更好的 SiO2 薄膜 , 作为栅极氧化层。14、LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成 SiO2 保护层。15、表面涂敷光阻， 去除 P 阱区的光阻， 注入砷 (As) 离子，形成 NMOS 的源漏极。用同样的方法，在 N 阱区，注入 B 离子形成 PMOS 的源漏极。16、利用 PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。17、沉积掺杂硼磷的氧化层18、溅镀第一层金属（1） 薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于 1um 。（2） 真空蒸发法（ Evaporation Deposition ）（3） 溅镀（ Sputtering Deposition ）19、光刻技术定出 VIA 孔洞，沉积第二层金属， 并刻蚀出连线结构。 然后，用 PECVD 法氧化层和氮化硅保护层。 20 、光刻和离子刻蚀，定出 PAD 位置21、最后进行退火处理，以保证整个 Chip 的完整和连线的连接性晶圆制造总的工艺流程芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（ Wafer Probe）、构装工序（ Packaging ）、测试工序（ Initial Test and Final Test）等几个步骤。...