电池片生产工艺流程一、制绒乩目的在硅片的外表形成坑凹状外表,减少电池片的反射的太阳光,增加二次反射 的面积.一般情况下,用碱处理是为了得到金字塔状绒面；用酸处理是为了得到 虫孔状绒面.不管是哪种绒面,都可以提升硅片的陷光作用.b.流程1 .常规条件下,硅与单纯的 HF、HNO3 〔硅外表会被钝化,二氧化硅与 HNO3 不反响〕认为是不反响的.但在两种混合酸的体系中,硅那么可以与溶液进 行持续的反响.硅的氧化 硝酸/亚硝酸〔HNO2〕将硅氧化成二氧化硅〔主要是亚硝酸将硅氧化〕Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2O 〔慢反响〕3Si+4HNO3=3SiO2+4NO+2H20 〔慢反响〕二氧化氮、一氧化氮与水反响,生成亚硝酸,亚硝酸很快地将硅氧化成二 氧化硅.2NO2+H2O=HNO2+HNO3 〔快反响〕Si+4HNO2=SiO2+4NO+2H2O 〔快反响〕〔第一步的主反响〕4HNO3+NO+H2O=6HNO2〔快反响〕只要有少量的二氧化氮生成,就会和水反响变成亚硝酸,只要少量的一氧 化氮生成,就会和硝酸、水反响很快地生成亚硝酸,亚硝酸会很快的将硅 氧化,生成一氧化氮,一氧化氮又与硝酸、水反响,这样一系列化学反响 最终的结果是造成硅的外表被快速氧化,硝酸被复原成氮氧化物.二氧化硅的溶解SiO2+4HF=SiF4+2H2O〔四氟化硅是气体〕SiF4+2HF=H2SiF6总反响SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O最终反响掉的硅以氟硅酸的形式进入溶液.2 .清水冲洗3 .硅片经过碱液腐蚀〔氢氧化钠/氢氧化钾〕,腐蚀掉硅片经酸液腐蚀后的 多孔硅4 .硅片经 HF、HCl 冲洗,中和碱液,如不清洗硅片外表残留的碱液,在烘 干后硅片的外表会有结晶5 .水冲洗外表,洗掉酸液c.注意制绒后的面相对于未制绒的面来说比拟暗淡d.现场图二、扩散翘.目的提供 P-N 结,POC13是目前磷扩散用得较多的一种杂质源.POCl3液态源扩 散方法具有生产效率较高,得到 PN 结均匀、平整和扩散层外表良好等优点.b,原理POC13 在高温下〔＞600℃〕分解生成五氯化磷〔PC15〕和五氧化二磷〔P2O5〕, 其反响式如下：但在有外来 O2存在的情况下,PC15会进一步分解成 P2O5并放出氯气〔C12〕5POC13>600℃> 3PC15 + P2O5奥特斯维电池厂采用 RENA 的设备.其反响式如下:过量 On4PCl + 5O j 2PO + 10Cl T52252在有氧气的存在时,POCl3热分解的反响式为：4POC13 + 5O2>2P2O5 + 6C12 T生成的 P2O5 在扩散温度下与硅反响,生成二氧化硅〔SiO2〕和磷原子,其 反响式如下：2P2O5 + 5Si = 5SiO2 + 4P Jc.结论由此可见,在磷扩散时,为了促使 POC13 充分的分解和防...
