1/8磁光材料的研究现状1.综述磁光材料是具有磁光效应的材料，磁光效应包括法拉第效应、磁光克尔效应、塞曼效应和磁致线双折射效应（科顿-穆顿效应和瓦格特效应）等。磁光材料需要同时具备一定的光学特性和磁学特性。1.1 法拉第效应法拉第效应指偏振光通过磁场下的介质后，偏振面因磁场作用而发生偏转。牛=VBd其中与是沿着光线传播方向看去偏振面的旋转角，叫做法拉第转角；V 是 Verdet常数，与材料性质有关；B 是磁感应强度在光线传播方向上的投影；d 是光在介质中传播的距离。当磁感应强度投影 B 与光线传播方向同向时，偏振面右旋，与〈0;反之，偏振面左旋，与〉0。与普通旋光效应不同的是，光线通过介质后再反射，原路返回再次通过介质，偏振面会在原来的基础上再旋转与角，而不是恢复原状。这为利用法拉第效应的磁致旋光材料提供了一种新的应用空间，如磁光调制器、磁光隔离器等。目前，对法拉第效应磁光材料的研究相对透彻，应用也相对广泛。以钇铁石榴石（Y3Fe5Oi2，简称 YIG）为代表的稀土铁石榴石（Re3Fe^i2）材料是常见的法拉第效应磁光材料［1］。1.2 磁光克尔效应磁光克尔效应指线偏振光在磁化的介质表面反射后，在磁场作用下偏振面发生偏转，偏转角度称为磁光克尔转角蚣。根据磁场强度方向的不同，磁光克尔效应分为三种：极向克尔效应：磁场方向垂直于介质表面，通常，兀随入射角的减小而增大；横向克尔效应：磁场方向平行与介质表面且垂直于入射面，光线的偏振方向不会发生变化，p 偏振光入射时会发生微小的反射率变化；纵向克尔效应：磁场方向平行与介质表面且平行于入射面，力随入射角的减小而减小，纵向克尔效应的强度比极向克尔效应小几个数量级，不易观察。应用最广的是极向克尔效应，可用来进行磁光存储和观察磁体表面或磁性薄膜的磁畴分布。1.3 塞曼效应2/8塞曼效应指光源位于强磁场中时，分析其发光的谱线，发现原来的一条谱线分裂成三条或更多条。原子位于强磁场中时，破坏自旋-轨道耦合，一个能级分裂成多个能级，而且新能级间有一定的间隔，能级的分裂导致了谱线的分裂。能级分裂的方式与角量子数 J 和朗德因子 g 有关。塞曼效应证明了原子具有磁矩，而且磁矩的空间取向量子化。塞曼效应可应用于测定角量子数和朗德因子，还可分析物质的元素组成。1.4 磁致线双折射效应磁致线双折射效应指透明介质处于磁场中时，表现出单轴晶体的性质，光线入射能产生两条折射线。在铁磁和亚铁磁体中的磁致线双折射效应称...
