模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一
半导体的基础知识1
半导体 --- 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质( 如硅 Si 、锗 Ge)
特性--- 光敏、热敏和掺杂特性
本征半导体 ----纯净的具有单晶体结构的半导体
两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子
杂质半导体 ----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体
体现的是半导体的掺杂特性
*P型半导体 : 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）
*N型半导体 : 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）
杂质半导体的特性*载流子的浓度 --- 多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关
*体电阻 --- 通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻
*转型 --- 通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体
PN 结 * PN结的接触电位差 --- 硅材料约为 0
8V ，锗材料约为 0
* PN结的单向导电性 --- 正偏导通，反偏截止
PN 结的伏安特性二
半导体二极管 *单向导电性 ------正向导通，反向截止
*二极管伏安特性 ----同ＰＮ结
*正向导通压降 ------硅管 0
7V ，锗管 0
*死区电压 ------硅管 0
5V，锗管 0
分析方法 ------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V阴( 正偏 ) ，二极管导通 ( 短路 ); 若 V 阳 V 阴( 正偏 ) ，二极管导通 ( 短路); 若 V 阳
