华润华晶1Fab5SiliconFabPlant3Fab2R&DCenterMarketing&SaleDeptAdministrationDeptsFloor2&3IGBT市场调研报告张治华2011-7TestPlant华润华晶2IGBT介绍IGBT市场IGBT应用IGBT竞争华晶IGBT战略建议华润华晶IGBT介绍-定义InsulatedGateBipolarTransistor绝缘栅双极晶体管华润华晶IGBT介绍-特点电压控制驱动功率：小开关速度：中输入阻抗：大开关损耗：小工作频率：较高耐压：高电流：大电压控制驱动功率：小开关速度：中输入阻抗：大开关损耗：小工作频率：较高耐压：高电流：大IGBT融合了MOS和BJT的特点电压300-6500V频率几十KHz功率不超过1000KVA电流控制驱动功率：大开关速度：慢饱和压降：低耐压：大电流：大电流控制驱动功率：大开关速度：慢饱和压降：低耐压：大电流：大电压控制驱动功率：小开关速度：快通态电阻：大高压大电流难以满足电压控制驱动功率：小开关速度：快通态电阻：大高压大电流难以满足华润华晶IGBT介绍-工艺华润华晶IGBT市场2009：全球IGBT销售13亿美元中国销售38亿人民币，约占全球市场1/32010：中国销售41亿人民币因为09-10年有经济危机影响，目前国家重视IGBT的发展，预计今后5-10年内会高速发展华润华晶IGBT市场-模块与单管华润华晶IGBT应用华润华晶华晶IGBT汽车电子消费工控华润华晶IGBT竞争-全球华润华晶IGBT竞争-中国华润华晶IGBT竞争-中国华润华晶1313谢谢Thanks
