充电电路简介•（一）充电基本部分：•1.充电检测部分•2.充电控制部分•3.电量检测部分•（二）充电保护部分：•1.过压保护部分•2.过流保护部分手机中MOS的使用场景分析•电池充电过程：预充电、恒流充电、恒压充电、脉冲充电（线性无）1.当Vbat<3.4V属于预充阶段，当电池电压低于3.3V时，CPU处于关机状态，在这个模式只要BATDET脚通过下拉电阻置低，即可进行预充！充电电流Ipre=10mV/Rsense2.当3.4V4.1V进入恒压充电阶段，这个阶段电流逐渐变小，电压维持不变！4.当恒压阶段的电流降低到一定值，就进行脉冲充电，当电压为4.2V左右时，充电完成。MT6225VDRVISNSVBAT_SNS0.2欧姆按照充电电路的器件的不同，将充电方式分为四种：PMOS、OVP、BJT+NMOS、BJT+PMOS。1、PMOS控制的充电方式：目前在MTK的MT6223、MT6235、MT6253和展讯平台所有平台中，都是采用PMOS控制的充电方式。优点：充电电路非常简单稳定，成本低缺点：没有过压保护功能，耐压能力低的平台容易被烧坏。手机中MOS的使用场景分析•这是最的常见充电电路，其中MOS为P-MOS+肖特基形式，常见于MTK，展讯等平台。•MOS作为充电电流的控制器，工作在饱和区（恒流区），承受较大功耗。•此电路中使用者最为关心的参数为：PD,ID,RthjA。•容易出现的问题：温度过高；最大功率不够。•WILL对应的产品：WPM2005-8/TR,WPM2006-6/TR,WPM2009D-8/TR。手机中MOS的使用场景分析充电电路原理图充电电路引脚说明MT6251/6252/6236/MT65730.2欧姆VDRVISNSBATSNS3、BJT+NMOS方式：MTK新推出的平台(MT6252、MT6236、MT6573、MT6276)中，采用的是BJT+MOS的充电方案，充电管脚耐压值为30V，且充电电流比PMOS、OVP控制方式大。手机中MOS的使用场景分析BJT+NMOS的充电方式改变为脉冲充电，GATDRV由电压控制改变为电流控制。如右图所示“电池充电电流I1由流进VDRV管脚的电流I2控制，假设PNP三极管在放大区的放大倍数为200，需要450mA的电池充电电流，那么手机平台内部需要控制的电流为I2=450mA/200=2.25mA，并通过检测Rsense上的压降组成反馈系统来控制充电电流。手机中MOS的使用场景分析4、BJT+PMOS方式高通的平台充电部分一般采用的方式为BJT+PMOS。不同的平台区别是PMIC内部有没有集成BJT.其中QSC6270将BJT集成在芯片内部。以下是四个充电过程的详细分析。QSC60X0/60X5/62X0/1100/11100.1欧姆CHG_CTLISNS_PISNS_MBAT_FET_N手机中MOS的使用场景分析•这是高通平台上的充电电路，其中使用到单路P-MOS。•MOS作为电池电源开关，工作在可变电阻区，功耗不大。•此电路中使用者最为关心的参数为：PD,ID,RDSON。•容易出现的问题：最大功率或电流不够。•WILL对应的产品：WPM2341-3/TR,WPM1480-3/TR,WPM2301-3/TR。手机中MOS的使用场景分析MT6573-Baseband充电电路产品方案:WPT2F30-6/TR和WNM4153-3/TR1.充电电流调整三极管：WPT2F30替换参考设计中STT818B2.高压阻断MOSFET：WNM4153替换参考设计中SSM3K35MFV
