一 ． 功 率 MOSFET 概 述 MOSFET 原 意 是 （ Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor） 金属 氧 化 物 半 导 体 场 效 应 晶 体 管 ， 即 以 金 属 层 （ M） 的 栅 极 隔 着 氧 化 层 （ O） 利 用电 场 的 效 应 来 控 制 半 导 体 （ S） 的 场 效 应 晶 体 管 ， 但 目 前 随 着 半 导 体 技 术 的 进 步 ，现 代MOSFET 栅 极 早 已 用 多 晶 硅 栅 取 代 金 属 栅 。 功 率MOSFET 是70 年 代 在 经 典MOSFET 的 基 础 上 发 展 起 来 ， 主 要 作 为 功率 电 子 开 关 使 用 。 与 经 典MOSFET 不 同 ， 功 率MOSFET 着 重 发 展 和 提 高 其 功 率特 性 ， 增 大 器 件 的 工 作 电 压 和 工 作 电 流 （ 功 率MOSFET 也 称 为 电 力MOSFET）。功 率MOSFET 围 绕 如 何 解 决 耐 压 和 功 耗 之 间 的 矛 盾 产 生 了 许 多 新 工 艺 结 构 ， 由LD MOSFET 结 构 起 步 经 历 了VV MOSFET、VU MOSFET、VD MOSFET、SJ MOSFET、Trench MOSFET、 SGT MOSFET 结 构 的 演 化 。 功 率MOSFET 的 特 点 是 其 用 栅 极 电 压 控 制 漏 极 电 流 ， 输 入 阻 抗 高 、 驱 动 电路 简 单 ， 驱 动 功 率 小 ， 开 关 速 度 快 、 热稳定好等特 性 。 二 ． MOSFET 分 类 、 结 构 功 率MOSFET 按照导 电 类型、 栅 极 驱 动 电 压 、 元胞结 构 与 工 艺 结 构 都有不同 划分， 具体 分类如 下： 1． 按 导 电 类 型 分 ： （ 1） N 沟道 （ 2） P 沟道 2. 按 栅 极 驱 动 电 压 分 ： （ 1） 耗 尽型 （ 2） 增 强型 耗 尽 型 ： 当 栅 极 电 压 为 零 时 漏 源 极 之 间 就 已 存 在 导 电 沟 道 。 增 强 型 ： 对 于N沟 道 器 件 ， 栅 极 电 压 大 于 零 时 才 存 在 导 电 沟 道 （ 小 于 零 时 才 存 在 导 电 沟 道 为P 型 ） 。以 上 四 种 类 型MOSFET 符 号 、 输 出 特 性 和 转 移 特 性 如 图1 所 示 ； 因 功 率MOSFET主 流 是N 沟 道 增 强 型 ， 本 文 ...
