第二章 半导体二极管及其基本电路 2-1．填空 （1）N 型半导体是在本征半导体中掺入 ；P 型半导体是在本征半导体中掺入 。 （2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会 。 （3）PN 结的结电容包括 和 。 （4）晶体管的三个工作区分别是 、 和 。在放大电路中，晶体管通常工作在 区。 （5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该 。（正偏、反偏） 答案：（1）五价元素；三价元素；（2）增大；（3）势垒电容和扩散电容；（4）放大区、截止区和饱和区；放大区；（5）反偏。 2-2．判断下列说法正确与否。 （1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。（ ） （2）P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ ） （3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证RGS大的特点。（ ） （4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。（ ） （5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。（ ） （6）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。（ ） （7）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） （8）若耗尽型N 沟道 MOS 场效应管的UGS大于零，则其输入电阻会明显减小。（） 答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的。 （2）错；对于 P 型半导体或 N 型半导体在没有形成 PN 结时，处于电中性的状态。 （3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证 RGS大的特点。 （4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。 （5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过。 （6）对； N 型半导体中掺入足够量的三价元素，不但可复合原先掺入的五价元素，而且可使空穴成为多数载流子，从而形成 P 型半导体。 （7）对；PN 结在无光照、无外加电压时，处于动态平衡状态，扩散电流和漂移电流相等。 （8）错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有 SiO2 绝缘层而使栅源间电阻非常大。因此耗尽型N 沟道 MOS 场效应管的UG S大于零，有绝缘层故而不影响输入电阻。 2-3．为什么说在使用二极管时，应特别注意不要超过最大整流电流和最高反向工作电压？ 答：当正向电流超过最大整流电流会使二极管结温过高，性能变...
