第二章 半导体二极管及其基本电路 2-1．填空 （1）N 型半导体是在本征半导体中掺入 ；P 型半导体是在本征半导体中掺入
（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流会
（3）PN 结的结电容包括 和
（4）晶体管的三个工作区分别是 、 和
在放大电路中，晶体管通常工作在 区
（5）结型场效应管工作在恒流区时，其栅-源间所加电压应该
（正偏、反偏） 答案：（1）五价元素；三价元素；（2）增大；（3）势垒电容和扩散电容；（4）放大区、截止区和饱和区；放大区；（5）反偏
2-2．判断下列说法正确与否
（1）本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等
（ ） （2）P 型半导体带正电，N 型半导体带负电
（ ） （3）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证RGS大的特点
（ ） （4）只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用
（ ） （5）晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过
（ ） （6）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体
（ ） （7）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零
（ ） （8）若耗尽型N 沟道 MOS 场效应管的UGS大于零，则其输入电阻会明显减小
（） 答案：（1）对；温度升高后，载流子浓度会增加，但是对于本征半导体来讲，电子和空穴的数量始终是相等的
（2）错；对于 P 型半导体或 N 型半导体在没有形成 PN 结时，处于电中性的状态
（3）对；结型场效应管在栅源之间没有绝缘层，所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证 RGS大的特点
（4）错；稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值
（5）错；晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过，只有在截止状态时没有电流流过
（6）对； N 型半导体中掺入足够量的三价元素，不
