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北京交通大学模拟电子技术习题及解答第二章半导体二极管及其基本电路

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第二章 半导体二极管及其基本电路 2-1.填空 (1)N 型半导体是在本征半导体中掺入 ;P 型半导体是在本征半导体中掺入 。 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流会 。 (3)PN 结的结电容包括 和 。 (4)晶体管的三个工作区分别是 、 和 。在放大电路中,晶体管通常工作在 区。 (5)结型场效应管工作在恒流区时,其栅-源间所加电压应该 。(正偏、反偏) 答案:(1)五价元素;三价元素;(2)增大;(3)势垒电容和扩散电容;(4)放大区、截止区和饱和区;放大区;(5)反偏。 2-2.判断下列说法正确与否。 (1)本征半导体温度升高后,两种载流子浓度仍然相等。( ) (2)P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。( ) (3)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证RGS大的特点。( ) (4)只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。( ) (5)晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。( ) (6)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为 P 型半导体。( ) (7)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( ) (8)若耗尽型N 沟道 MOS 场效应管的UGS大于零,则其输入电阻会明显减小。() 答案:(1)对;温度升高后,载流子浓度会增加,但是对于本征半导体来讲,电子和空穴的数量始终是相等的。 (2)错;对于 P 型半导体或 N 型半导体在没有形成 PN 结时,处于电中性的状态。 (3)对;结型场效应管在栅源之间没有绝缘层,所以外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证 RGS大的特点。 (4)错;稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值。 (5)错;晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过,只有在截止状态时没有电流流过。 (6)对; N 型半导体中掺入足够量的三价元素,不但可复合原先掺入的五价元素,而且可使空穴成为多数载流子,从而形成 P 型半导体。 (7)对;PN 结在无光照、无外加电压时,处于动态平衡状态,扩散电流和漂移电流相等。 (8)错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间有 SiO2 绝缘层而使栅源间电阻非常大。因此耗尽型N 沟道 MOS 场效应管的UG S大于零,有绝缘层故而不影响输入电阻。 2-3.为什么说在使用二极管时,应特别注意不要超过最大整流电流和最高反向工作电压? 答:当正向电流超过最大整流电流会使二极管结温过高,性能变...

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