一、绪论1、高频化（ MHz水平） : 提高性能、效率、功率密度，减小储能元件体积，便于装置小型轻便化，如变压器、电感、电容体积→ Hz 平方根成反比。高频化带来主要问题 : 开关元件功耗、开关应力问题；寄生分布参数影响及EMI(Electro-Magnetic Interference)等问题。2、《宽禁带半导体电力电子器件及应用》 ，陈治明、 李守智编著， 机械工业出版社， 2009 年 1 月二、电力电子器件1、概念： 工作在开关状态、用于功率转换的、电力半导体器件。2、半导体 ：本征半导体中存在空穴和自由电子两种载流子, 并且两种载流子数量是相等的→这是半导体区别于金属导体的一个基本特点。空穴导电占优势的半导体称作 P(Positive) 型半导体，自由电子导电占优势的N (Negative)型半导体。3、PN结： 扩散与漂移运动在一定温度下达到动态平衡时，形成一个总量不变、稳定的由空间电荷构成的“空间电荷区” 。在整个空间电荷区范围，正负电荷数量相等，整体保持电中性，称PN结。常温下硅 PN结的 U0≈0.7V。在 PN结上外加正向电压VF，使扩散运动得到增强，在外电路作用下会形成稳定的、源源不断的扩散电流，若外加正向电压VF升高，则会进一步削弱内电场、增大扩散电流。故正向偏置的PN结呈现为一个很小的电阻，流过较大的正向电流。 PN结电容主要由势垒电容和扩散电容组成。在PN结正偏状态下，当正向电压较低时，扩散运动较弱，扩散电容相对较小，势垒电容相对占主要成份。正向电压较高时， 扩散运动加剧， 扩散电容近似按指数规律上升，扩散电容则成为主要成份。 PN 结反偏时，扩散运动被强烈抑制，扩散电容很小，PN结电容则以势垒电容为主，如图所示。4、各种电力电子器件相关内容：(1) 类型及特点；(2) 通、断过程机理；(3) 特性、主要性能参数及其意义；(4) 电路运行条件对器件性能或特性的影响；(5) 驱动及要求；(6) 使用保护 (电压保护、电流保护等)。第2章 AC/DC变换（整流变换）主要类型：相控、斩控（PWM整流）一、 ( 传统) 相控整流电路（调节）改变触发脉冲位置 ( 触发角 ) ，改变输出整流电压大小。单相半波可控整流电路、单相全波可控、单相桥式全控、单相桥式半控、三相桥式全控、带平衡电抗器的双反星形可控整流电路。相控 ( 传统) 整流的 主要缺陷 ：1、网侧功率因素低、谐波大相控整流电路功率因素：cos ( 基波电流因子II 1 ，：触发角 ) ↑—— cos↓，↓（谐波增加）——降低。2、闭...
