下载后可任意编辑7.1 半导体器件基础GS0101, 二极管的伏安特性可近似用下面的数学表示式来表示: iD为流过二极管的电流, uD。为加在二极管两端的电压, VT称为温度的电压当量, 与热力学温度成正比, 表示为 VT = kT/q 其中 T 为热力学温度, 单位是 K; q 是电子的电荷量, q=1.602×10-19C; k 为玻耳兹曼常数, k = 1.381×10-23 J／K。室温下, 可求得 VT = 26mV。IR(sat)是二极管的反向饱和电流。GS0102 直流等效电阻 RD直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压 UD与流过二极管的直流电流ID之比。 RD的大小与二极管的工作点有关。一般见万用表测出来的二极管电阻即直流电阻。一般二极管的正向直流电阻在几十欧姆到几千欧姆之间, 反向直流电阻在几十千欧姆到几百千欧姆之间。正反向直流电阻差距越大, 二极管的单向导电性能越好。GS0103 沟通等效电阻 rd rd亦随工作点而变化, 是非线性电阻。2 基本放大电路 静态工作点求解公式。 ()为了避开瞬时工作点进入截止区而引起截止失真, 则应使: 为了避开瞬时工作点进入饱和区而引起饱和失真, 则应使: 式中 表示晶体管基区的体电阻, 对于一般的小功率管约为 300Ω 左右(计算时, 若未给出, 可取为 300Ω), IE 为经过管于发射极的静态电流, 单位是 mA。在 IE ≤5mA 范围内, 式 GS0220 计算结果与实际测量值基本一致。分压式直流电流负反 馈 放 大 电 路 , 分 压 点 电 压 UB 计 算 公 式 。 偏置电路元件参数的计算。 估算结型场效应管自给偏压电路的静态工作点计算公式, (结型场效应管的转移特性。式中 IDSS为饱和漏电流, VP为夹断电压。联立求解 GS0231～GS0233 各式, 便可求得静态工作点 Q(ID, UGS, UDS)。结型场效应管分压式偏置电路, 栅源回路直流负载线方程。式中 Au1、 Au2 、 …、 Aun 为各级的电压放大倍数。 多级放大电路电压放大倍数的分贝值等于各级之和放大电路的频率特性或频率响应。其中 Au(ω)称为幅频特性, 反映大小与频率的关系。φ(ω)为相频特性, 反映输出信号与输入信号的相位差与频率之间的关系。中频段单级放大电路的电压放大倍数。 AuL、 AuH和 Auo 分别是低、 高和中频段的电压放大倍数。式中: B 放大电路的通频带, 下限频率 fL和上限频率 fH。下载后可任意编辑 fH、 fL是多级放大电路上、 下限频率, fH1、 fL1是单级上、 下限频率7.3 负反馈放大电路 基本放大...
