晶体三极管的结构、特性与参数VIP专享

一、三极管的结构类型与工作原理 半导体三极管又称为晶体管、三极管、双极型晶体管、BJT 。它由 2 个背靠背的 PN 结组成，分为 NPN 型、PNP 型。由制造的材料又分为硅三极管、锗三极管。 NPN 型三极管：c：collector 集电极；b：base 基极；e：emitter 发射极 采用平面管制造工艺，在 N＋型底层上形成两个 PN 结。 工艺特点：三个区，二个结，引出三根电极杂质浓度(e 区掺杂浓度最高，b 区较高，c 区最低)；面积大小( c 区最大， e 区大， b 区窄)。 PNP 型三极管：在 P＋型底层上形成两个 PN 结。 NPN 管的工作原理：为使NPN 管正常放大时的条件：射结正偏(VBE＞0)，集电结反偏(V CB＞0)。 发射区向基区大量发射电子(多子)， 进入基区的电子成为基区的少子，其中小部分与基区的多子( 空穴)复合，形成IB 电流，绝大部分继续向集电结扩散并达到集电结边缘。 因集电结反偏，这些少子将非常容易漂移到集电区，形成集电集电流的一部分ICN。 而基区和集电区本身的少子也要漂移到对方，形成反向饱和电流ICBO。 ，， 晶体管的四种工作状态： 1、发射结正偏，集电结反偏：放大工作状态 用在模拟电子电路 2、发射结反偏，集电结反偏：截止工作状态 3、发射结正偏，集电结正偏：饱和工作状态 用在开关电路中 4、发射结反偏，集电结正偏：倒置工作状态 较少应用 三种基本组态：集电极不能作为输入端，基极不能作为输出端。 1、共基组态(CB) 输入：发射极端：基极公共(此处接地) 。 输出：集电极。 VBE＞0，发射结正偏，VCB＞0( VCC＞VBB)，集电结反偏。所以三极管工作在放大状态。 发射极组态(CE)： 共集电极组态(CC)： 共基组态时电流关系(放大状态)： ， ， 称为共基极直流电流放大系数，0.98~0.998。 ICBO 称为集电结反向饱和电流，其值很小，常可忽略。 其中穿透电流，。 当时， 称为共射极直流电流放大系数, 穿透电流ICEO ，其值较小，也常可忽略。 所以有和之间的关系： 共集组态时电流关系(放大状态)： 无论哪种组态，输入电流对输出电流都具有控制作用，因此三极管是一种电流控制器件(CCCS)。并且共射和共集组态还具有电流放大作用。 二、三极管的伏安特性曲线 1、共射极输入特性 基极电流iB 与发射结电压 VBE 之间的关系： 电路及三极管典型特性曲线： 与二极管的正向特性相似，但当C-E 间的电压增加时，特性曲线右移，当VCE＞1 后，输入伏安特性曲线基本不变...