学习好资料欢迎下载填空1、 集成电路的加工过程主要是三种基本操作 ： 形成某种材料的薄膜；在薄膜材料上形成所需要的图形；通过掺杂改变材料的电阻率或杂质类型。2、 晶体管有源区、沟道区、漏区统称为有源区 ，有源区以外的统称场区 。3、 当 MOS 晶体管加有衬底偏压时，其阈值电压将发生变化，衬底偏压对阈值电压的影响叫衬偏效应 （或体效应） 。 P91 4、 MOS 存储器 分为随机存储器（RAM）只读存储器（ ROM）。MOS 管的 RAM 存储器分为动态随机存储器（DRAM），静态随机存储器（SRAM）。5、 MOS 晶体管分为n 沟道 MOS 晶体管、p 沟道 MOS 晶体管两类。6、 富 NMOS 电路与富 NMOS电路不能直接级联， 但可采取富 NMOS与富 PMOS交替级联的方式（多米诺电路 ）。7、 CMOS集成电路 是利用NMOS 和 PMOS 互补性改善电路性能的集成电路。在P 型衬底上用 n 阱工艺 制作 CMOS集成电路。8、 等比例缩小理论包含恒定电场等比例缩小理论（CE）、恒定电压等比例缩小理论（CV）、准恒定电场等比例缩小理论（QCE）。名词解释1、 短沟道效应 ：MOS 晶体管沟道越短， 源漏区 PN 结耗尽层电荷在总的沟道耗尽层电荷中占的比例越大，使实际由栅压控制的耗尽层电荷减少，造成阈值电压随沟道长度减小而下降。2、 多米诺 CMOS电路： 为避免预充 ---求值动态电路在预充期间的不真实输出影响下一级电路的逻辑操作，富NMOS 与富 NMOS 电路不能直接级联，而是采用富NMOS 与富PMOS 交替级联的方式，或用静态反相器器隔离。3、 MOS 晶体管阈值电压： 沟道区源端半导体表面达到强反型所需要的栅压，假定源和衬底共同接地（对NMOS）。4、 亚阈值电流： 在理想的电流---电压特性中，当GSTVV时，DI =0 ，而实际情况是当GSTV
