本文介绍了三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断。三极管饱和问题总结：1.在实际工作中，常用 Ib*β =V/R 作为判断临界饱和的条件。根据 Ib*β =V/R 算出的 Ib 值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和;倍数越大，饱和程度就越深。2.集电极电阻越大越容易饱和;3.饱和区的现象就是：二个 PN 结均正偏，IC 不受 IB 之控制问题：基极电流达到多少时三极管饱和?解答：这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β 值有关，估算是这样的：假定负载电阻是 1K，VCC 是 5V，饱和时电阻通过电流最大也就是 5mA，用除以该管子的β 值(假定β =100)5/100=0.05mA=50μ A，那么基极电流大于50μ A 就可以饱和。对于 9013、9012 而言，饱和时 Vce 小于 0.6V，Vbe 小于 1.2V。下面是9013 的特性表：问题：如何判断饱和?判断饱和时应该求出基级最大饱和电流 IBS，然后再根据实际的电路求出当前的基级电流，如果当前的基级电流大于基级最大饱和电流，则可判断电路此时处于饱和状态。饱和的条件：1.集电极和电源之间有电阻存在 且越大就越容易管子饱和;2.基集电流比较大以使集电极的电阻把集电极的电源拉得很低，从而出现b 较 c 电压高的情况。影响饱和的因素：1.集电极电阻 越大越容易饱和;2.管子的放大倍数 放大倍数越大越容易饱和;3.基集电流的大小;饱和后的现象：1.基极的电压大于集电极的电压;2.集电极的电压为 0.3左右，基极为 0.7 左右(假设 e 极接地)谈论饱和不能不提负载电阻。假定晶体管集-射极电路的负载电阻(包括集电极与射极电路中的总电阻)为 R，则集-射极电压 Vce=VCC-Ib*hFE*R，随着 Ib 的增大，Vce 减小，当 Vce<0.6V 时，B-C 结即进入正偏，Ice 已经很难继续增大，就可以认为已经进入饱和状态了。当然 Ib 如果继续增大，会使Vce 再减小一些，例如降至 0.3V 甚至更低，就是深度饱和了。以上是对 NPN型硅管而言。另外一个应该注意的问题就是：在 Ic 增大的时候，hFE 会减小，所以我们应该让三极管进入深度饱和 Ib>>Ic(max)/hFE，Ic(max)是指在假定 e、c极短路的情况下的 Ic 极限，当然这是以牺牲关断速度为代价的。注意：饱和时 Vb>Vc，但 Vb>Vc 不一定饱和。一般判断饱和的直接依据还是放大倍数，有的管子 Vb>Vc 时还能保持相当高的放大倍数。例如：有的管子将 Ic/Ib<10 定义为饱和，Ic/Ib<1 应该属于深饱和了。从晶体管特性...
