DRAM （ 动 态 随 机 访 问 存 储 器 ） 对 设 计 人 员 特 别 具 有 吸 引 力 ， 因 为 它 提 供了 广 泛 的 性 能 ， 用 于 各 种 计 算 机 和 嵌 入 式 系 统 的 存 储 系 统 设 计 中 。 本 文 概 括 阐述 了 DRAM 的 概 念 ， 及 介 绍 了 SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、DDR5 SDRAM、LPDDR、GDDR。 DRAM DRAM 较其它 内存 类型的 一个优势是它 能 够以 IC（ 集成电路） 上每个内存单元更少的 电路实现。 DRAM 的 内存 单元基于 电容器 上贮存 的 电荷。 典型的DRAM 单元使用 一个电容器 及 一个或三个 FET（ 场效应晶体管） 制成。 典型的SRAM （ 静态 随 机 访 问 内存 ） 内存 单元采取六个 FET 器 件， 降低了 相同尺寸时每个 IC 的 内存 单元数量。 与 DRAM 相比， SRAM 使用 起来更简便， 接口更容易， 数据访 问 时间更快。 DRAM 核心结构由 多 个内存 单元组 成， 这 些 内存 单元分 成由 行 和 列 组 成的两 维 阵 列 （ 参 见 图 1） 。 访 问 内存 单元需 要 两 步 。 先 寻 找 某 个行 的 地 址 ， 然 后在 选 定 行 中 寻 找 特 定 列 的 地 址 。 换 句 话 说 ， 先 在DRAM IC 内部 读 取整 个行 ，然 后 列 地 址 选 择DRAM IC I/O（ 输 入 / 输 出 ） 针 脚 要 读 取或要 写 入 该 行 的 哪 一列 。 DRAM 读 取具 有 破 坏 性 ， 也 就 是说 ， 在 读 操 作 中 会 破 坏 内存 单元行 中 的 数据。 因 此 ， 必 需 在 该 行 上的 读 或写 操 作 结束 时， 把 行 数据写 回 到 同一行 中 。 这一操 作 称 为 预 充 电， 是行 上的 最 后 一项 操 作 。 必 须 完 成这 一操 作 之 后 ， 才 能 访问 新 的 行 ， 这 一操 作 称 为 关 闭 打 开 的 行 。 对 计 算 机 内 存 访 问 进 行 分 析 后 表 明 ， 内 存 访 问 中 最 常 用 的 类 型 是 读 取 顺 序的 内 存 地 址 。 这 是 合 理 的 ， 因 为 读 取 计 算 机 指 令 一 般 要 比 数 据 读 取 或 写 入 更 加常 用 。 此 外 ...
