1、 什么是哈佛结构和冯·诺伊曼（Von Neuman）结构？它们有什么区别？ 答：(1) 冯·诺伊曼（Von Neuman）结构 该结构采用单存储空间，即程序指令和数据共用一个存储空间，使用单一的地址和数据总线，取指令和取操作数都是通过一条总线分时进行。 （2）哈佛（Harvard）结构 该结构采用单存储空间，即程序指令和数据共用一个存储空间，使用单一的地址和数据总线，取指令和取操作数都是通过一条总线分时进行。当进行高速运算时，不但不能同时进行取指令和取操作数，而且还会造成数据传输通道的瓶颈现象，其工作速度较慢。 两者区别： 哈佛（Harvard）结构：该结构采用双存储空间，程序存储器和数据存储器分开，有各自独立的程序总线和数据总线，可独立编址和独立访问，可对程序和数据进行独立传输，使取指令操作、指令执行操作、数据吞吐并行完成，大大地提高了数据处理能力和指令的执行速度，非常适合于实时的数字信号处理。 冯·诺伊曼（Von Neuman）结构：当进行高速运算时，不但不能同时进行取指令和取操作数，而且还会造成数据传输通道的瓶颈现象，其工作速度较慢。 2、 TMS320VC5416-160 的指令周期是多少毫秒？它的运算速度是多少 MIPS？ 答：TMS320VC5416-160 的指令周期 16ns，它的运算速度是160MIPS。 3、 TMS320C54x 芯片的流水线操作共有多少个操作阶段？每个阶段执行什么任务？完成一条指令都需要哪些操作周期？ 答：（1）六个操作阶段。 （2）各个阶段执行的任务： ① 预取指 P：将 PC 中的内容加载到 PAB ② 取指 F：将读取到的指令字加载到 PB ③ 译码 D：将 PB 的内容加载 IR，对 IR 的内容译码 ④ 寻址 A：CPU 将数据 1 或数据 2 的读地址或同时将两个读地址分别加载到数据地址总线 DAB 和CAB 中，并对辅助寄存器或堆栈指针进行修正。 ⑤ 读数 R：将读出的数据 1 和数据 2 分别加载到数据总线 DB 和CB 中。若是并行操作指令，可同时将数据 3 的写地址加载到数据地址总线 EAB 中。 ⑥ 执行 X：执行指令，写数据加载 EB。 （3）完成一条指令需要的周期： 需要：预取指周期、取指周期、译码周期、寻址周期和读数周期。 4、 TMS320VC5402 共有多少可屏蔽中断？它们分别是什么？NMI 和RS 属于哪一类中断源？ 答：（1）TMS320VC5402 有 13 个可屏蔽中断。 （2）TMS320VC5402 有 的 13 个可屏蔽中断分别是：（课本 56 页最下面） （3）RS 和...
