1:没有用到CLK，应该是异步 ● 异步模式：这种情况下，只要每次访问都有准确的地址，完全支持非对齐的数据访问。 ● 同步模式：这种情况下，FSMC 只发出一次地址信号，然后成组的数据传输通过时钟CLK 顺 序进行。 某些 NOR 存储器支持线性的非对齐成组访问，固定数目的数据字可以从连续的以 N 为模的地址读取(典型的 N 为 8 或 16，可以通过 NOR 闪存的配置寄存器设置)。此种情况下，可以把存储器的非对齐访问模式设置为与 AHB 相同的模式。 如果存储器的非对齐访问模式不能设置为与 AHB 相同的模式，应该通过 FSMC 配置寄存器的相应位禁止非对齐访问，并把非对齐的访问请求分开成两个连续的访问操作。 2:PSRAM 假静态随机存储器 3: ACCMOD：的四种访问模式 /在地址数\据线不复用的情况下，ABCD 模式的区别不大 4:LCDDC_TE 的作用 5:/*FSMC 总线配置步骤 确定映射地址空间 确定扩展使用的映射地址空间后进而 1、确定硬件电路中用于选中该存储器的片选线 FSMC_NEx, 2、FSMC 配置中用于配置该外部存储器的特殊功能寄存器号， 配置存储器基本特征 根据选用的存储器芯片确定需要配置的存储器特征 1 确定存储器类型（SRAM）， 2 确定存储器芯片的数据和地址引脚是否复用， 3 确定存储器芯片的数据线宽度， 4 对于 NOR Flash，确定是否采用同步突发访问方式， 5 对于 NOR Flash，NWIT 信号的特性说明， 6 对于该存储器芯片的读写操作， 确定是否采用相同的时许参数来确定时序关系。 配置存储器时序参数 FSMC 通过使用可编程的存储器时序参数寄存器，拓展了可选用的外部存储器的速度范围 6:IAR 软件出现警告 Warning[Pe009]: nested comment is not allowed ，不知道如何解决？？ 这是你的注释嵌套的结果，不是程序本身问题，对程序运行无影响 7:SSD1963 的 Conf (128) 脚，用来控制读写的方式， 如果为 0 则为 6800 总线 MODE 如果位 1 ，则为 8080 总线。 默认情况 开发板上 接4.7K 接上啦 8 . 撕裂效应信号 撕裂效应信号（TE）是一个从LCD 控制器到单片机的反馈信号。这个信号指示 LCD 控制器的显示状态。在非显示周期内，TE 信号为高。因此，本信号使单片机通过观察非显示周期发送数据，以避免撕裂。 图 7-1 展示了 TE 信号有助于避免撕裂。如果单片机写的速度慢于显示速度，显示数据更新，应在 LCD 控制器开始扫描帧缓存之后。然后...
