一、 Glass Sensor 的结构及对应制作工艺 结构 1 的制作工艺： （单面 ITO Pattern 搭金属桥） 1.共需要 8 道制程； 2.此结构是目前主流的产品； 3.金属桥在 OC 绝缘层上面。 二、Glass Sensor 各工序生产时间、样品交期、量产交期 工序 正 面 镀ITO 正面 ITO Pattern 制作 背 面 镀ITO OC Pattern 制作 正 面 镀MoAlMo MoAlMo Pattern 制作 正面掩膜镀 SiO2 背 面 镀SiO2 Tact Time 12.5s 25s 12.5s 25s 12.5s 25s 10min 12.5s 样品交期 1 周 量产交期 7-10 天 ITO、MoAlMo 镀膜工序 清洗 上片 镀膜 卸片 SiO2 掩膜镀工序 清洗 装载掩膜板 上片 镀膜 卸片 卸载掩膜板 ITO、MoAlMo Pattern 制作 清洗 涂胶 预烘 曝光 显影 后烘 蚀刻 脱膜 OC Pattern 制作 清洗 涂胶 预烘 曝光 显影 后烘 三、 Glass Sensor 制程难点、生产过程中质量管控点 单面 ITO 搭金属桥式 Glass Sensor 的制程难点在 MoAlMo Pattern 制作。 MoAlMo Pattern 制程使用正性光刻胶 ITO/MoAlMo SubstratPhotoresist Mask DevelopinEtchinStripping Resist Coating Pre- bake Exposure Develop Etch Post- bake Strip 第一步： 涂布光刻胶（Resist Coating ） 第二步： 光刻胶的曝光 (Photoresist Exposure) 第三步： 光刻胶的显影 (Photoresist Develop) 光刻胶的显影后，照片图示 正型光刻胶曝光显影原理 正型光刻胶受紫外线照射后，光照区重氮萘醌型酯化物发生分解，放出氮气形成烯酮。烯酮遇水形成茚羧而易溶于稀碱。 未曝光区由于碱的作用，重氮化合物上树脂发生偶合反应形成氮化合物，使分子量增加，从而降低溶解度。 第四步： 光刻胶的后烘 (Photoresist Post-bake) 第五步： MoAlMo Pattern 的蚀刻 (MoAlMo Pattern Etching) 第六步： 光刻胶的剥离 (Photoresist Strip) 光刻胶的剥离后，照片图示 四、 Glass Sensor 主要材料介绍 生产线 镀膜线 光刻线 使用材料 靶材、玻璃基板、氩气、氧气 清洗剂、光刻胶、显影液、蚀刻液、脱膜液
