一款适合自制采用普通电源变压器的MOS 场效应管逆变器制作全过程 这里介绍的逆变器（见图1）主要由MOS 场效应管，普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS 场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该变压器的工作原理及制作过程。 图1 工作原理 一、方波的产生 这里采用CD4069 构成方波信号发生器。电路中R1 是补偿电阻，用于改善由于电源电压的变化而引起的震荡频率不稳。电路的震荡是通过电容 C1 充放电完成的。其振荡频率为f=1/2.2RC。图示电路的最大频率为：fmax=1/2.2x103x2.2x10—6=62.6Hz，最小频率为 fmin=1/2.2x4.3x103x2.2x10—6=48.0Hz。由于元件的误差，实际值会略有差异。其它多余的发相器，输入端接地避免影响其它电路。 图2 二、 场效应管驱动电路。 由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大振幅为0~5V，为充分驱动电源开关电路，这里用TR1、TR2将振荡信号电压放大至0~12V。如图3所示。 图3 三、 场效应管电源开关电路。 场效应管是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理。MOS 场效应管也被称为 MOS FET，即 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的是增强型 MOS 场效应管，其内部结构见图4。它可分为 NPN 型和 PNP 型。NPN 型通常称为 N 沟道型，PNP 型通常称 P 沟道型。由图可看出，对于 N 沟道型的场效应管其源极和漏极接在N 型半导体上，同样对于 P 沟道的场效应管其源极和漏极则接在 P 型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称场电压）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。 图4 为解释MOS 场效应管的工作原理，我们先了解一下仅含一个P—N 结的二极管的工作过程。如图5所示，我们知道在二极管加上正向电压（P 端接正极，N 端接负极）时，二极管导通，其 PN 结有电流通过。这是因在 P 型半导体端为正电压时，N 型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P 型半导体端，而 P 型半导体端内的正电子则朝 N 型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N 端接正极时，这时在 P ...
