实验报告 课程名称:电路与电子技术Ⅱ 指导老师:楼丽珍 成绩:__________________ 实验名称:三极管的伏安特性测量 实验类型:验证性实验 同组学生姓名:__________ 一、实验目的和要求(必填) 二、实验内容和原理(必填) 三、主要仪器设备(必填) 四、操作方法和实验步骤 五、实验数据记录和处理 六、实验结果与分析(必填) 七、讨论、心得 一、实验目的和要求 1
理解三极管直流偏置电路的结构和工作原理 2
理解三极管输入、输出伏安特性 3
学习三极管伏安特性的测试方法 二、实验内容和原理 实验内容: 1
测量三极管的输入伏安特性 2
测量三极管的输出伏安特性 实验原理: BJT 的共射极组态的伏安特性 1
共射组态输入特性 共射组态输入特性是指 VCE 一定时,输入回路中,VBE 和 IB 之间的关系,即 IB=(VBE)|VCE=常数 VCE=0V VCE 增长时 VCE>1V 后 2
共射组态输出特性 共射组态输出特性是以 IB 一定时,IC 与VCE 之间的关系
即 IC=(VCE)|IB=常数 整个输出特性可划分为三个不同的工作区域 (1)截止区 截止区是指图中 IB≤0 的区域
使 BJT 处于截至状态的条件是外加电压使发射结和集电结均处于反向偏置,即 VBE≤0,VCB>0
(2)饱和区 饱和区相应于输出特性曲线中,靠近坐标IC的区域(VCE≤0
此时,发射结正偏,VBE0
7V,而集电结也由反偏转为正偏(VCB=VCE-VBE≤0)
(3)放大区 放大区又称恒流区,对应于输出特性曲线的水平部分,即 IB>0,且 VCE>0
7V 的区域
外加电压必须使发射结正偏,集电结反偏
三、主要仪器设备 电子实验箱、万用表、NPN 型硅三极管 9013 专业:测控技术与仪器 姓名:颜睿 学号:3130103850 日期:2017