1 简易半导体三极管参数测试仪 2 简易半导体三极管参数测试仪 摘 要 本设计以 AT89C55WD单片机最小系统为核心，用 c51编程，通过多组继电器的组合，可靠地实现了对三极管基极和发射极电流的检测，通过 ADC0809和运放组成数据采集电路；由 DAC0832和多组继电器组成数控电压源。系统能精确测量三极管交直流放大系数、集电极－发射极反向击穿电压和反向饱和电流。系统所用高压通过倍压电路获得。单片机根据采集所得数据进行处理，并通过液晶对各项参数和输入输出曲线进行显示。在此基础上，用 MAX232实现了单片机和 PC机的串行数据通讯，使显示更直观准确，并可进行存储打印。 一、 方案论证与比较 根据题目的设计要求，本系统的设计可以划分为以下几个部分，下面对每个设计方案分别进行论证与比较 1． 三极管基极和集电极电压采样电路 方案一：采用在基极和集电极电阻两端直接测电压的方法。用这种方法虽然简单，但是电路复杂，需要多个运算放大器，精确度不高，很难达到题目要求。 方案二：采用在发射极串电阻，直接在发射极测量电流 Ice 的方法。这种方案由于电阻两端对地电压较低，便于放大检测。但由于发射极电阻的存在，使基极电位很难确定，不便于基极电阻的选择，对 Uce的确定也会带来一定困难。 方案三：用两路数据采集电路分别对基极电压和发射极电阻两端电压进行采样。基极电压经过普通运放组成的同向比例放大电路进行放大后送AD采样。而极电极电阻两端的电压采用高精度低漂移仪用放大器 INA126进行放大。若所测三极管为 PNP型管，则经过反向比例电路转换成正电压以满足ADC0809采样的需要。 综合考虑，方案三电路结构简单，测量精度较高，故采用方案三。 2． 反向击穿电压测量电路 方案一：通过变压器、三端稳压器等组成可调电压源，实现 0—100V电压的连续输出。这种方案输出电压简单易行，但由于高压的检测存在一定困难，且大电流易对电路造成损坏，不宜采用。 方案二：将 DAC0832的输出经倍压电路后得到可调高压，通过 DA控制逐步增大加在三极管集电极的电压，同时对集电极电流实时检测，当检测到电流发生突变时，记录下此时的 DA输出电压值。根据加压倍数即可得到Uceo.这种方法控制容易，便于检测。且倍压电路输出电流小，即使出现误操作也不易对电路造成损坏。综合考虑，决定采用第二种方案。 3． 反向饱和电流测量电路 由于反向饱和电流极小，测量中容易产生较大的误差。测量时用继电器将1M大...
