晶 体 三 极 管 一 、 三 极 管 的 电 流 放 大 原 理 晶 体 三 极 管 ( 以 下 简 称 三 极 管 ) 按 材 料 分 有 两 种 : 锗 管 和 硅 管 。 而 每 一 种 又 有 NPN 和 PNP 两 种 结 构 形 式 ,但 使 用 最 多 的 是 硅 NPN 和 PNP 两 种 三 极 管 , 两 者 除 了 电 源 极 性 不 同 外 , 其 工 作 原 理 都 是 相 同 的 , 下 面 仅 介绍 NPN 硅 管 的 电 流 放 大 原 理 。 图 1、 晶 体 三 极 管 ( NPN) 的 结 构 图 一 是 NPN 管 的 结 构 图 , 它 是 由 2 块 N 型 半 导 体 中 间 夹 着 一 块 P 型 半 导 体 所 组 成 , 从 图 可 见 发 射 区 与 基 区之 间 形 成 的 PN 结 称 为 发 射 结 ,而 集 电 区 与 基 区 形 成 的 PN 结 称 为 集 电 结 ,三 条 引 线 分 别 称 为 发 射 极 e、基 极 b和 集 电 极 。 当 b 点 电 位 高 于 e 点 电 位 零 点 几 伏 时 , 发 射 结 处 于 正 偏 状 态 , 而 C 点 电 位 高 于 b 点 电 位 几 伏 时 , 集 电 结 处于 反 偏 状 态 , 集 电 极 电 源 Ec 要 高 于 基 极 电 源 Ebo。 在 制 造 三 极 管 时 , 有 意 识 地 使 发 射 区 的 多 数 载 流 子 浓 度 大 于 基 区 的 , 同 时 基 区 做 得 很 薄 , 而 且 , 要 严 格 控制 杂 质含量, 这样, 一 旦接通电 源 后, 由 于 发 射 结 正 确, 发 射 区 的 多 数 载 流 子 ( 电 子 ) 极 基 区 的 多 数 载 流子 ( 控 穴) 很 容易地 截越过发 射 结 构 互相 向反 方各扩散, 但 因前者 的 浓 度 基 大 于 后者 , 所 以 通过发 射 结 的电 流 基 本上是 电 子 流 , 这股电 子 流 称 为 发 射 极 电 流Ie。 由 于 基 区 很 薄 ,加上集 电 结 的 反 偏 , 注入基 区 的 电 子 大 部分 越过集 电 结 进入集 电 区 而 形 成 集 电 集 电 流 Ic,只剩下 很 少( 1-10%) 的 电 子 在 基 区 的 空穴进行复合, 被复合掉的 基 区 空穴由 基 极 电...