(2021年整理)半导体器件中的low-k技术

1半导体器件中的 low-k 技术半导体器件中的 low-k 技术编辑整理:尊敬的读者朋友们：这里是精品文档编辑中心，本文档内容是由我和我的同事精心编辑整理后发布的，发布之前我们对文中内容进行仔细校对，但是难免会有疏漏的地方，但是任然希望（半导体器件中的 low-k 技术）的内容能够给您的工作和学习带来便利。同时也真诚的希望收到您的建议和反馈，这将是我们进步的源泉，前进的动力。本文可编辑可修改，如果觉得对您有帮助请收藏以便随时查阅，最后祝您生活愉快业绩进步，以下为半导体器件中的 low-k 技术的全部内容。半导体器件中的 low-k 技术2半导体集成电路中的 low—k 技术摘要：随着芯片集成度的不断提高，RC 时延、串扰噪声和功耗等越来越成为严重的问题。low-k(低介电常数)技术在这样的背景下产生并逐渐应用到集成电路工艺中°low-k 材料代替 SiO2能够进一步提高芯片的速度，但在 low-k 材料带来巨大技术优势的同时，也带来了一些技术性难题•研究新型 low—k 材料并提升其相应的性能，将极大的促进集成电路的发展。关键词：集成电路 low—k 技术低介电常数多孔材料1前言随着超大规模集成电路(VeryLargeScaleIntegration,VLSI)的高速发展，芯片的集成度不断提高，特征尺寸不断减小。金属互连的多层布线导致金属导线的电阻、线间电容和层间电容增大,从而使 RC延迟时间、串扰噪声和功耗等增加，这些问题成为集成电路进一步发展的制约因素［1,2］。为了解决上述问题，提高芯片的速度，一方面用采用 Cu 金属互连线代替 Al 金属，减少电阻(Cu 电阻率为 1。75X10-8Q・m,Al 电阻率 2.83X10-80•m).另一方 面 用 low-k 电 介 质 (k<3) 代 替SiO(k=3.9~4。22),降低金属互连层间绝缘层的介电常数k［3,4］。90nm 工艺要求 k=3。0〜2。9；65nm 工艺要求 k=2。8〜2.7；45nm 工艺要求 k=2。6~2。5［3］；32nm 及以下工艺要求 k 值在 2.4 之下⑸。因此,low-k 技术已经成为集成电路领域的重点研究内容之一•2low-k 技术的优势图 1 分布电容示意图low-k 技术就是就是寻找3半导体器件中的 low-k 技术介电常数（k）较小的材料作为芯可以降低线路串扰。当一条传输片内部电路层之间的绝缘介质ILD（InterLayerDielectrics，层间电介质），防止各层电路的相互干扰,以提升芯片的稳定性和工作频率。集成电路的速度由晶体管的栅延时和信号的传播延时共同决定，吏用 high-k 材料可以有效地降低栅延时。RC...