精品文档---下载后可任意编辑600V 超结 VDMOS 的 dVdt 可靠性讨论与优化设计中期报告中期报告：一、已完成工作总结：1.完成了对目前市场上主流的 600V 超结 VDMOS 器件（例如Infineon 的 CoolMOS 和 Fairchild 的 SuperFET）中的 dVdt 特性进行了深化的讨论，分析了其可靠性问题和缺陷。2.分析了 dVdt 特性对 600V 超结 VDMOS 器件在开关过程中的影响，从而得出了提高 dVdt 可靠性的重要性，并对 dVdt 的测试方法进行了分析和对比讨论。3.通过对已有的讨论成果的综述和对市场上常见的 600V 超结VDMOS 器件的评估，找出了优化器件结构的途径，如优化栅极结构、提高耐受峰值电压等。4.在设计过程中，采纳了 ANSYS 软件进行仿真分析，并与实际测试结果进行对比分析，验证了优化设计的可行性。二、下一步工作计划：1.优化栅极结构，提高 dVdt 承受能力。2.对耐受峰值电压的优化设计进行深化讨论。3.细化器件表面结构，减少表面欧姆接触阻力。4.继续对优化设计方案进行仿真分析和实际测试验证。5.撰写论文并提交相关期刊。
