精品文档---下载后可任意编辑600V 单芯片 IPM 中超薄膜 SOI-LDMOS 的设计中期报告本设计的目的是在 600V 单芯片 IPM 中集成超薄膜...
精品文档---下载后可任意编辑600V 高压电平移位电路的分析与设计的开题报告一、选题背景有些应用需要将低压电平信号转化为高压电平信号,...
精品文档---下载后可任意编辑600V 超结 VDMOS 高温反偏可靠性讨论与优化设计的开题报告1. 讨论背景和讨论意义随着电力电子技术的进展,...
精品文档---下载后可任意编辑600V 超结快恢复二级管设计的开题报告一、选题背景和讨论意义二极管作为半导体元器件中最基础的一种,其应用...
精品文档---下载后可任意编辑600V 超结 VDMOS 的 dVdt 可靠性讨论与优化设计中期报告中期报告:一、已完成工作总结:1.完成了对目前市...
精品文档---下载后可任意编辑600V 碳化硅结势垒肖特基二极管电学应力下的退化机理及模型讨论中期报告本讨论旨在探究 600V 碳化硅结势垒...
精品文档---下载后可任意编辑600V 电荷耦合 ITC-IGBT 的设计与仿真开题报告一、选题背景在现代电力系统中,高压、高速、大功率开关系统...
精品文档---下载后可任意编辑600V 单芯片 IPM 中超薄膜 SOI-LDMOS 的设计开题报告一、选题背景随着电力电子技术的不断进展,功率集成...
精品文档---下载后可任意编辑600V 电荷耦合 ITC-IGBT 的设计与仿真中期报告本报告主要介绍了电荷耦合 IGBT(Insulated Gate Bipolar...
精品文档---下载后可任意编辑600V 功率 MOSFET 器件的元胞结构讨论的开题报告一、讨论背景和目的随着电子设备的普及和应用范围的不断扩...
精品文档---下载后可任意编辑600V 单片集成 IPM 高压侧栅极驱动电路设计的开题报告一、选题背景在工业自动化、电力电子等领域,高压集成...
精品文档---下载后可任意编辑600V 单片 IPM 中高电流密度 IGBT 设计的开题报告本文的讨论方向是针对 600V 单片 IPM 中高电流密度...
精品文档---下载后可任意编辑600V 功率 VD-MOSFET 器件仿真的开题报告题目:基于 PSpice 的 600V 功率 VD-MOSFET 器件仿真讨论一...