精品文档---下载后可任意编辑77K 下 MOS 器件的 SPICE 模型讨论的开题报告尊敬的指导老师：近年来，随着科技的不断进展，各种数字化、智能化设备的侵入，实现了自动化生产，加速了工作进程，但是其背后所使用的电子器件中的模拟部分却没有得到足够的重视和讨论，这就使得一些 MOS（金属氧化物半导体场效应管）的器件仿真过程中存在种种问题，同时也阻碍了器件更好的工作。鉴于此，本文拟对 77K 下 MOS 器件的 SPICE 模型进行讨论，并在此基础上提出合理的电路拓扑。具体来讲，本文将以上述问题为背景，基于 SPICE 仿真软件，利用所学到的模拟电子技术，对 77K 下 MOS 器件的 SPICE 模型进行探究，先是了解其基本原理及组成结构，接着通过实验数据的分析，猎取 77K 下 MOS 器件的性能参数，将其逐一描绘出来，并得出适用于 SPICE 仿真的电路拓扑，最后通过实验比较，验证一下所得结果的可行性和可靠性。同时，在本次讨论中，我们也将对 77K MOS 器件压力响应的讨论进行探讨，并尝试运用数学建模对其进行分析。最后，本文对在试验过程中所存在的一些问题进行了总结，并提出处理方案，以此达到本次讨论的预期目标。此致敬礼！
