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GaNZnO纳米线异质结的制备及其光电特性的开题报告

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精品文档---下载后可任意编辑GaNZnO(Cu2O)纳米线异质结的制备及其光电特性的开题报告摘要:本文主要讨论了 GaPZnO/Cu2O 异质结纳米线的制备以及光电特性。首先,通过溶胶凝胶法制备出高质量的 ZnO 纳米线,并在其表面上沉积出 GaP 薄膜。随后,使用化学沉积法在 GaP/ZnO 纳米线上生长 Cu2O纳米薄膜,形成 GaNZnO/Cu2O 异质结纳米线。通过扫描电子显微镜和X 射线衍射分析表明,制备的纳米线异质结结构良好,并且 Cu2O 薄膜与 ZnO 和 GaP 有较好的匹配。接下来,对制备的异质结纳米线进行了光电特性讨论。结果表明,在紫外到可见光波段内(300-700nm),GaNZnO/Cu2O 异质结纳米线具有优异的光催化活性和光电传输性质。进一步的电学测试表明,该异质结具有良好的光电流性能,证明了其具有很好的应用前景。关键词:GaPZnO/Cu2O,纳米线,异质结,制备,光电特性,光催化,光电传输Abstract:This paper mainly studies the preparation and photoelectric properties of GaPZnO/Cu2O heterojunction nanowires. Firstly, high-quality ZnO nanowires are prepared by sol-gel method, and GaP film is deposited on the surface of ZnO. Then, Cu2O nanofilm is grown on GaP/ZnO nanowires by chemical deposition to form GaPZnO/Cu2O heterojunction nanowires. Scanning electron microscopy and X-ray diffraction analysis show that the prepared nanowire heterojunction has a well structure, and the Cu2O film matches well with ZnO and GaP.Subsequently, the photoelectric properties of the prepared heterojunction nanowires were studied. The results showed that GaPZnO/Cu2O heterojunction nanowires had excellent photocatalytic activity and photoelectric transmission properties in the ultraviolet to visible wavelength range (300-700 nm). Further electrical tests showed that the heterojunction had good photoelectric current performance, proving its excellent application prospects.精品文档---下载后可任意编辑Keywords: GaPZnO/Cu2O, nanowires, heterojunction, preparation, photoelectric properties, photocatalysis, photoelectric transmission.

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