精品文档---下载后可任意编辑GaN 基低维量子体系中的电子输运的开题报告一、讨论背景和意义：氮化镓（GaN）是一种禁带宽度较宽、电子迁移率高的半导体材料，在电子器件中具有广泛的应用前景。面对未来的电子器件，人们有着更高的能量转换效率要求，如何提高电子器件的性能，讨论氮化镓材料的制备和性能等成为了当前半导体领域的讨论热点。随着讨论的深化和技术的进展，GaN 材料的电子输运性质引起了人们的重视。在低维量子体系中，由于量子限制效应，电子结构和输运性质与传统材料截然不同。因此，讨论 GaN 低维量子体系中的电子输运对于理解GaN 材料物理性质和设计优异性能的电子器件具有重要意义。二、讨论内容：本课题将讨论 GaN 基低维量子体系的电子输运性质及其机制，具体工作内容如下：1.利用第一性原理方法讨论 GaN 量子点、纳米线及薄膜的电子结构、能带结构和输运特性等。2.通过分析低维系统中的束缚态和激子效应等因素对电子输运性质的影响，揭示电子输运性质的机制和规律。3.综合理论计算和实验讨论结果，优化低维量子体系的结构和性能，为开发高性能电子器件提供理论指导和技术支撑。三、讨论方法：1.采纳密度泛函理论（DFT）和非平衡格林函数（NEGF）方法计算GaN 量子点、纳米线及薄膜的电子结构、能带结构和输运性质。2.对低维系统中的束缚态和激子效应进行计算分析，揭示电子输运性质的机制和规律。3.结合实验讨论结果，比较理论模拟结果和实验测量数据，验证模拟计算的准确性。四、计划进度：1.文献综述： 2 周2.理论计算： 12 周3.数据分析和处理： 4 周精品文档---下载后可任意编辑4.结果讨论和撰写论文： 4 周五、估计讨论成果：本课题讨论 GaN 基低维量子体系的电子输运性质及其机制，预期取得以下成果：1.讨论低维 GaN 量子体系的电子输运性质及其机制；2.分析低维系统中的束缚态和激子效应对电子输运的影响；3.对低维 GaN 量子体系进行结构和性能的优化；4.为开发高性能电子器件提供理论指导和技术支持。六、参考文献：1. Zhigang Sun,et al. Influence of surface states on electronic transport properties of GaN nanowires[J]. Materials & Design, 2024, 115: 211–216.2. Yan Dang,et al. Electronic properties and quantum transport in GaN nanowires[J]. Journal of Physics: Condensed Matter, 2024, 24(21): 215303.3. Bo Peng,et al. Theoretical study of GaN/AlN multi-quantum well solar cells with different well width[J]. Solar Energy Materials and Solar Cells, 2024, 181: 54–59.4. Ch Daverio,et al. Ab initio modeling of point defect complexes in wurtzite GaN[J]. Physical Review B, 2024, 72(15): 153202.
