《半导体制造技术》-(美)Michael Ciuik Julian Serda 著 韩郑生等译 电子工业出版社 《微电子制造科学原理与工程技术》(第二版) –(美)StephenA.Camphell 著 曾莹等译 电子工业出版社 微电子制造： 圆片——生成氧化层 光 刻： 淀积电阻材料——形成电阻材料 淀积绝缘层——形成绝缘层 淀积绝缘层——形成绝缘层 薄膜淀积： 溅射和蒸发（物理过程） 溅射——Ar+轰击含有淀积材料的靶 蒸发——对圆片涂敷 在圆片上部生长半导体薄层的过程称之为外延生长。 CMOS 工艺流程 工艺名称 反应条件 备注 硅衬底 SiO2 氧化 光刻胶 掩膜板 UV 对准与曝光 硅片 曝过光的光刻胶 光刻胶 SiO2 显影 离子化的CF4 气体 RF 源、光刻胶 SiO2 氧化硅刻蚀 离子化的氧气 RF 源 SiO2 光刻胶去除 栅氧化硅 氧化（栅氧化硅） 多晶硅 掺杂气体、硅脘气体 多晶硅淀积 多晶硅栅 RF 源、离子化的CU4气体 多晶硅、光刻与刻蚀 扫描离子束 离子注入 有源区 氧化硅板部 氧化硅 氧化硅淀积 接触孔 接触刻蚀 金属接触 金属淀积与刻蚀 氧化工艺： 湿法清洗 氧化炉 氧化前清洗 化学品 O2、N2、H2、Cl 检查 %溶液 流量 膜泵 温度 温度 均匀性 时间 温度分布曲线 颗粒 时间 缺陷 清洗液：RCH、SC-1、SC-2 清洗体系以及Piranha 清洗 （硫酸、过氧化氢和水的混合物） 干法氧化工艺的工艺菜单 步骤 时间（分） 温度 （0℃） N2净化气 （slm） N2 （slm） O2 HCI 备注 0 850 8.0 0 0 / 待机状态 1 5 850 8.0 0 / 装片 2 7.5 升温速度20℃/min 8.0 0 / 升温 3 5 1000 8.0 0 / 温度稳定 4 30 1000 0 2.5 67 干法氧化 5 30 1000 8.0 0 / 退化 6 30 除温速度5℃/min 8.0 0 / 降温 7 5 850 8.0 0 / 卸片 8 850 8.0 0 0 / 待机状态 危险性：酸和碱（PH 小于7 为酸性，大于7 为碱性） 有毒性：磷化氢和砷化氢 易燃性：酒精和丙铜 自然性：硅烷（在空气55℃（130 ºF）温 度 不 能 够 自燃的 物 质 ） HF 侵 蚀 玻 璃 ，只 能 用 塑 料 容 器 存 放 和使 用 。 不 相 溶 的 化学 物 质 化学 物 质 不 能 与 之 混 合 的 物 质 丙酮 溴 、 氯 、 硝 酸和硫 酸 氟 化锰 酸溶 液 三 氧 化锑 金 属 和还 原 剂 砷化三 氢 氧 化化合 物 三 氯 ...
