1. 何谓PIE? PIE 的主要工作是什幺? 答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。 2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义? 答：8 吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12 吋. 3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm 的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm 的wafer 工艺？ 答：当前1~3 厂为200mm(8 英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um 工艺。未来北京厂工艺wafer 将使用300mm(12 英寸)。 4. 我们为何需要300mm? 答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低 200→300 面积增加 2.25 倍,芯片数目约增加 2.5 倍 5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？ 答：是指工厂的工艺能力可以达到 0.13 um 的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。 6. 从 0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology 改变又代表的是什幺意义？ 答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。从0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。 7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓 N, P-type wafer? 答：N-type wafer 是指掺杂 negative 元素(5 价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂 positive 元素(3 价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。 8. 工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程(module)？ 答：主要有四个部分：DIFF（扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。其中 DIFF 又包括 FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子 注入)、RTP(快速热处理)。TF 包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。 9. 一般硅片的制造常以几 P 几 M 及光罩层 数 (mask layer)来 代表硅片工艺的时间长 短 ，请 问 几 P 几 M 及光罩层 数 (mask layer)代表什幺意义？ 答：几 P 几 M 代表硅片的制造有几层 的Poly(多 晶 硅)和几层的metal(金属导线)....
