外延 术语 1、外延生长（Epitaxy） 2、量子阱（Quantum Well） 3、能带工程（Energyband engineering） 4、半导体发光二极管（Light Emitting Diode） 5、PN 结的击穿（PN ju nction Striking） 6、金属有机化学汽相沉淀积（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ） 7、异质结构（Heterogeneou s Stru ctu re） 8、量子阱半导体激光器（Qu antu m Well Laser） 9、超晶格（Su per Lattice） Epitaxy：外延制程（垒晶） GaP：磷化镓 n-GaN：N型氮化镓 p-GaN：P型氮化镓 GaAs：砷化镓 GaN：氮化镓 AlInGaP：磷化铝镓铟（铝铟镓磷） AlGaAs：砷化铝镓（铝镓砷） InGaN 铟镓氮 AlGaN 铝镓氮 Wafer：晶片、外延片 分析仪器 1、XRD：X射线衍射仪，主 peak GaN分析仪器 2、PL：荧光光谱仪（或光致发光光谱仪），Peak强度越强，FWHM越窄，表示有较佳的 QW。 3、Hall：霍尔测试仪，利用霍尔效应测量载流子（对 n-GaN载流子为电子，对p-GaN,载流子为空穴）迁移率（mobility）以及 Sheet Resistance，分析时同结构若有相同的掺杂（Doping），若是量测的迁移率 mobility较小，可以推测此结构有较多的缺陷（Defects）。 4、SEM（Scanning Electron Microscopy）：扫描式电子显微镜，测量刻蚀深度、及刻蚀截面状况。 5、Microscope：显微镜 6、Differential Microscopy（Nikon-OPTI PHOT）：晶相（金相）显微镜，用以观测磊芯片表面的型态（morphology）。 7、EDS：能量分色散光谱仪，EDS之仪器构造主要是由一个硅(锂)固态侦测器为核心，它是由硅单晶参杂锂原子而成的。 8、MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition)：金属有机化学汽相沉淀积 9、TEM：透射电子显微镜，测量截面的微细构造，可测量量子井阱、缓冲层以及超晶格的微细构造厚度及接口（界面）状况。 10、SIMS：二次离子质谱仪，测量每层的掺杂状况，可测量 P-GaN以及 N-GaN的掺杂状况，以及掺杂载子的浓度以及扩散距离等测量。 芯片（Chip） 1、LED（Light Emitting Diode）：发光二极管 2、reverse mounting type 薄芯片LED：反向粘着型薄芯片LED（倒装芯片） 3、GaN LED：氮化镓发光二极管 4、UV LED：紫外线二极管（紫外发光二极管） 5、Chip Processing：芯片制程 6、Photolithography：光刻，将图形从光罩（掩膜版）上成象到光阻上的过程。 7、Photoresist：光刻胶（光阻），是一种感...
