单 晶 硅 生 产 制 备 方 法 大 全 单 晶 硅 晶 片 及 单 晶 硅 的 制 造 方 法 本 发 明 的 单 晶 硅 晶 片 及 单 晶 硅 的 制 造 方 法 ， 是 属 于 切 克 劳 斯 基 法 (CZ 法 )生 长 单晶 硅 晶 片 ， 其 特 征 为 ： 对 全 部 晶 片 进 行 热 氧 化 处 理 时 ， 在 环 状 发 生 OSF 的 外 侧 的N 区 域 ， 不 存 在 通 过Cu 淀 积 所 检 测 出 的 缺 陷 区 域 。 由 此 ， 可 以 利 用 确 实 能 提 高氧 化 膜 耐 压 等 电 气 特 性 的 CZ 法 ， 在 稳 定 的 制 造 条 件 下 ， 制 造 既 不 属 于 富 含 空 孔的 V 区 域 、 OSF 区 域 ， 也 不 属 于 富 含 晶 格 间 隙 硅 的 I 区 域 的 硅 单 晶 晶 片 。 绝 缘 体 上 的 单 晶 硅 (SOI)材 料 的 制 造 方 法 本 发 明 公 开 了 一 种 采 用 SIMOX 技 术 制 造 SOI 材 料 的 方 法 。通 过 在 传 统 的 注 氧 隔 离制 造 工 艺 中 引 入 离 子 注 入 非 晶 化 处 理 ，使 得 非 晶 化 区 域 内 的 各 种 原 子 在 退 火时 产生 很强的 增强扩散效应，从而制 造 出 顶部 硅 层中 的 穿通 位错等 晶 体 缺 陷 和二氧 化硅 埋层中 的 硅 岛和针孔 等 硅 分凝产 物得 以 消除的 高 品质的 SOI 材 料 。本 发 明 还公开 了 一 种 将离 子 注 入 非 晶 化 处 理 应用 到采 用 注 氮隔 离 或注 入 氮氧 隔 离 技 术 中 制造 SOI 材 料 的 方 法 ， 使 得 氮化 硅 埋层或者氮氧 化 硅 埋层是 非 晶 层，顶部 硅 层是 和氮化 硅 埋层或者氮氧 化 硅 埋层的 界面具有原 子 级陡峭的 单 晶 硅 层。 分离 单 晶 硅 埚底料 中 石英的 工 艺 本 发 明 属 于 半导体 分离 技 术 领域 ，特 别是 涉及 一 种 分离 单 晶 硅 埚底料 中 石英的 工艺 ， 包括下 列步骤： a.将埚底料 破碎， 得 到颗粒状 的 埚底料 ；b.用 Si3N4 涂料 刷抹坩埚底部 和内 壁， 让其 自然干燥；c.把颗粒状 埚底料 放置在 坩埚内 ；d.装有颗粒状 埚底料 的 坩埚放入 中 频感应电 炉， ...
