原边反馈反激式

目前比较流行的低成本、超小占用空间方案设计基本都是采用 PSR 原边反馈反激式， 通过原边反馈稳压省掉电压反馈环路（TL431 和光耦）和较低的EMC 辐射省掉 Y 电容， 不仅省成本而且省空间，得到很多电源工程师采用。 比较是新技术，目前针对 PSR 原边反馈开关电源方案设计的相关讯息在行业中欠缺。 下面结合实际来讲讲我对 PSR 原边反馈开关电源设计的“独特” 方法— — 以实际为基础。 要求条件： 全电压输入，输出 5V/1A，符合能源之星 2 之标准，符合 IEC60950 和 EN55022 安规及 EMC 标准。 因充电器为了方便携带，一般都要求小体积，所以针对 5W 的开关电源充电器一般都采用体积较小的EFD-15 和 EPC13 的变压器，此类变压器按常规计算方式可能会认为 CORE 太小，做不到，如果现在还有人这样认为，那你就 OUT 了。 磁芯以确定，下面就分别讲讲采用 EFD15 和 EPC13 的变压器设计 5V/1A 5W 的电源变压器。 1. EFD15 变压器设计 目前针对小变压器磁芯，特别是小公司基本都无从得知 CORE 的B/H 曲线，因 PSR 线路对变压器漏感有所要求。 所以从对变压器作最小漏感设计入手： 已知输出电流为 1A，5W 功率较小，所以铜线的电流密度选 8A/mm2, 次级铜线直径为:SQRT(1/8/3.14)*2=0.4mm。 通过测量或查询 BOBBIN 资料可以得知，EFD15 的BOBBIN 的幅宽为 9.2mm。 因次级采用三重绝缘线，0.4mm 的三重绝缘线实际直径为 0.6mm. 为了减小漏感把次级线圈设计为 1 整层，次级杂数为：9.2/0.6mm=15.3Ts,取 15Ts. 因 IC 内部一般内置 VDS 耐压 600~650V 的MOS，考虑到漏感尖峰，需留 50~100V 的应力电压余量，所以反射电压需控制在 100V 以内， 得：(Vout+VF)*n<100,即：n<100/（5+1）,n<16.6, 取 n=16.5,得初级匝数 NP=15*16.5=247.5 取 NP=248，代入上式验证，（Vout+VF）*(NP/NS)<100, 即(5+1)*(248/15)=99.2<100,成立。 确定 NP=248Ts. 假设:初级248Ts 在BOBBIN 上采用分3 层来绕，因多层绕线考虑到出线间隙和次层以上不均匀，需至少留1Ts 余量（间隙）。 得：初级铜线可用外径为：9.2/(248/3+1)=0.109mm，对应的实际铜线直径为 0.089mm，太小（小于0.1mm 不易绕制），不可取。 假设:初级248Ts 在BOBBIN 上采用分4 层来绕， 初级铜线可用外径为：9.2/(248/4+1)=0.146mm，对应的铜线直径为 0.126mm，实际可用铜线直径取0.12mm。 IC 的 VCC...