精品文档---下载后可任意编辑Si 基应变三维 CMOS 关键技术讨论的开题报告开题报告题目：Si 基应变三维 CMOS 关键技术讨论讨论背景和意义：三维集成电路由于具有较小的芯片面积、更高的芯片集成度和更低的功耗，在计算机、通讯、医疗等领域有着广泛的应用前景。而当前三维集成电路的关键技术之一是垂直堆叠的晶体管与钍电容器的制造，而该技术依赖于在 Si 基底片中引入高度局限应变的能力。讨论内容：本讨论将系统讨论 Si 基应变三维 CMOS 关键技术，旨在探究应变技术对三维 f 日 hr 集成电路的性能提升作用。具体讨论内容包括：1. 分析和优化 Si 基应变技术，探究实现垂直堆叠晶体管和钍电容器所需要的垂直应变和平面应变。2. 讨论垂直应变和平面应变的常用方法和技术，并在此基础上探究三维 CMOS 的应变技术的改进方法。3. 使用 PDK 设计 Si 基带应变三维 CMOS 芯片，设计和实现应变CMOS 电路的布局和结构。4. 测试和验证设计的功耗、性能和可靠性，分析应变技术对三维CMOS 性能的影响。讨论途径和方法：本讨论将采纳理论分析与实验讨论相结合的方法，通过分析已有的技术和文献资料，总结和提炼出 Si 基应变技术完成晶体管和电容器的制造。而对于实验讨论，我们将利用 PDK 设计 Si 基带应变三维 CMOS 芯片进行测试和验证。讨论进度和预期结果：本讨论计划为期两年，估计在第一年内完成 Si 基应变技术的讨论和三维 CMOS 应变技术的改进，第二年将完成芯片设计、测试和验证，并分析应变技术对三维 CMOS 性能的影响。预期结果将是实现 Si 基应变三维 CMOS 芯片的制造，并提高其性能和可靠性。参考文献：精品文档---下载后可任意编辑[1] Li J, Li Z, Zhang W. 基于应变工艺的三维封装 CSP 芯片制造技术讨论[J]. 传感器与微系统, 2024(01):45-48.[2] Deng M, Wang J, Jiang J. 基于 SiGe 源引入的单芯片 Si 基应变双极晶体管[J]. 中国半导体技术, 2024(06):52-55. [3] [美] Fahey P M, Fitzgerald E A, Canella L, et al. SiGe epitaxy and strained Si heterostructures on Si: A review[J]. Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, 1998, 16(5):2717-2744.
