图 TTL 反相器的电 压传输特性TTL 反相器的电压的传输特性 压传输特性图 TTL 反相器的静态输入特性IIS输入高电平输入低电平D1 导通精品文档---下载后可任意编辑以集电极 c 和发射极 e 之间的回路作为输出回路
VON为开启电压
硅三极管的开启电压 VON为 0
7V，锗三极管的开启电压 VON为 0
VBE为输入电压，iB为输入电流
VCE为输出电压，iC为输出电流
集电极电流 iC不仅受 VCE 影响，还受基极电流 iB影响
输出特性曲线分三个区：1、曲线右边的水平部分为放大区（线性区），特点是：iC随iB成正比变化，几乎不受 VCE变化的影响
2、靠近纵轴部分为饱和区，特点是：iC不随iB贝塔的比例增加，而是趋向饱和
硅三极管饱和区的 VCE值约为 0
7V，深度饱和状态下的饱和压降在 0
3、iB的一条输出特性曲线以下的区域为截至区
截止区特点是 iC几乎为 0
双极型三极管的基本开关电路当 VI=0，或者 VIVON时，三极管导通状态，输出电压为低电平 VOL
硅三极管的深度饱和压降为 0
3V， VCE（sat）饱和导通压降
RCE（sat）饱和导通内阻
综上述，保证当 VI=VIL时 VBEIBS，三极管工作在深度饱和状态，相当于开关接通,在开关电路的输出端 VO=VOL输出低电平
则 Y=Aˊ则三极管的 c-e 间就相当于一个受 VI控制的开关
晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置,且集电节反向偏置
PN 结加正向电压时,空间电荷区将变窄
(幻灯片第 114 张和 115 张不明白)
稳压管的稳压区是其工作在 反向击穿
β=⊿iC/⊿iB ,β 是沟通电流的放大系数
α=β/(1+β)当三极管截止时,发射结反偏,iC=0,相当于开关断开;当三极管饱和时,发射结正偏,VCE=VCE（sat）≈0
