精品文档---下载后可任意编辑ZnO 基稀磁半导体的电子结构和磁性讨论的开题报告一、讨论背景和意义ZnO 是一种重要的半导体材料，在光电子学和器件制造领域有着广泛的应用。然而，传统的 ZnO 材料是非磁性的，而且其磁性能与其它稀磁半导体材料相比较差。因此，寻找一种具有磁性的 ZnO 材料，对于提高其在磁性材料和磁存储器等方面的应用具有重要的意义。二、讨论目的本讨论通过密度泛函理论方法，探究 ZnO 基稀磁半导体的电子结构和磁性质，并进一步分析其在磁性材料和磁存储器等领域的应用前景。三、讨论内容1. 探究 ZnO 基稀磁半导体的电子结构和磁性质的基本规律；2. 分析 ZnO 基稀磁半导体的性质与晶体结构、晶格缺陷、掺杂和氧空位等因素的关系；3. 模拟和计算不同条件下的 ZnO 基稀磁半导体的电子结构和磁性质，并对模拟结果进行分析和评价；4. 探究 ZnO 基稀磁半导体在磁性材料和磁存储器等领域的应用前景。四、讨论方法本讨论主要采纳密度泛函理论方法，利用第一性原理数值计算软件 VASP，探究ZnO 基稀磁半导体的电子结构和磁性质，并分析其在磁性材料和磁存储器等领域的应用前景。五、讨论进度安排本讨论分两年完成，具体进度如下：第一年：1. 学习和掌握密度泛函理论和 VASP 计算软件；2. 收集和整理 ZnO 基稀磁半导体相关文献资料，对其进行深化分析；3. 开展基于 VASP 软件的 ZnO 基稀磁半导体的电子结构和磁性质的计算模拟，并对其进行初步分析。第二年：1. 深化分析和评价第一年计算模拟的结果；2. 根据计算结果，进一步探究 ZnO 基稀磁半导体的电子结构和磁性质的基本规律；精品文档---下载后可任意编辑3. 探究 ZnO 基稀磁半导体在磁性材料和磁存储器等领域的应用前景，并写出论文并发表。
