精品文档---下载后可任意编辑Ⅲ 族氮化物半导体的自发极化及铁电体/Ⅲ 族氮化异质结构的讨论的开题报告题目：Ⅲ族氮化物半导体的自发极化及铁电体/Ⅲ 族氮化异质结构的讨论一、讨论背景和意义Ⅲ 族氮化物半导体是当前尤其是紫外光 LED 和激光器、高电子迁移率晶体管等领域中讨论最为活跃的材料。其中，铁电Ⅲ族氮化物的讨论具有特别的意义。铁电Ⅲ族氮化物具有较高的压电系数和较好的光电性能，在压电器件、光电器件等领域有广泛的应用前景。此外，铁电Ⅲ族氮化物薄膜和Ⅲ族氮化异质结构的讨论也具有重要的理论和实际意义。在压电器件和光电器件等领域中，有效地改善晶体材料的特性是重要的讨论目标。Ⅲ族氮化异质结构的制备和讨论可以提高材料的性能，并从而实现器件性能的提高和应用领域的拓展。二、主要讨论内容和技术路线1. 自发极化的讨论在Ⅲ族氮化物铁电体中，自发极化是一种重要的电极化现象，其来源于材料的内部电荷不平衡。本讨论将通过实验和理论模拟相结合的方法，探究自发极化的来源、机制及其与材料属性的关系，进一步完善铁电Ⅲ族氮化物材料的性能，并为其在光电器件和压电器件等领域的应用提供理论和实验基础。2. 铁电体/Ⅲ 族氮化异质结构的制备与讨论本讨论将制备铁电体/Ⅲ 族氮化异质结构，讨论其结构和性质，并通过理论和模拟方法分析其电学和光学性质。通过分析异质结构的优化设计及相关参数的调控，提高其性能，解决材料的光电性能和电学性能的矛盾问题，实现优化设计与高性能的平衡。技术路线：1）Ⅲ族氮化物半导体的生长技术：采纳气相生长法，生长 GaAs/AlGaAs 异质结构及 ZnO/AlN 异质结构；2）材料表征：采纳 XRD、AFM、SEM、TEM 等手段讨论样品结构和表面形貌，通过 PL 和 TRPL 等测试材料的光电性能，并通过电性测试讨论其电学性质；精品文档---下载后可任意编辑3）理论模拟：应用第一性原理计算理论和有限元模拟技术，讨论材料性质和异质结构的电学和光学性质。三、预期讨论结果本讨论主要预期结果包括：1）系统深化探究Ⅲ族氮化物铁电体的自发极化机制，推动其在光电器件、压电器件等领域的应用；2）制备高品质铁电体/Ⅲ 族氮化异质结构，分析其结构和性质，并通过理论和模拟方法分析其电学和光学性质；3）实现铁电体/Ⅲ 族氮化异质结构的优化设计，提高其性能，并解决材料光电性能和电学性能的矛盾问题；4）为铁电体/Ⅲ 族氮化异质结构在光电器件、压电器件等领域的应用提供理论和实验基础...
