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光伏电池及组件的减反膜综合优化

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玻璃减反膜正面白玻璃EVA电池绒面及减反膜晶体硅基底及有源层背膜或玻璃EVAAl 背场精品文档---下载后可任意编辑上海君威新能源装备有限公司夏世伟2024-5-2摘要:本文通过理论分析和实验验证,详细分析了太阳能电池和光伏组件的减反膜系统,建立了减反膜系统的综合评价体系,同时提出了减反膜系统的优化设计方法,初步探讨了优化减反膜系统的产业化实现方法。关键词:太阳能电池 光伏组件 减反膜 多层减反膜 镀膜工艺 M-SioNAR前言在地面用太阳能电池及其组件的制备工艺中,减反膜对于太阳能电池的光电转换效率起着非常重要的作用。理论和实践证实,适当的减反膜系统,能够使太阳能电池及其组件的效率提高 3~5%。在当前应用于大规模晶硅电池的生产工艺中,减反效果通过两个工艺技术实现,分别为表面制绒技术和 SiN 减反膜技术。其中,制绒技术利用光线的多次折返原理,提高电池对光辐照的吸收,可以使电池表面的反射率降低约3%;而减反膜技术利用光学衍射原理,使电池的反射率进一步大幅降低约 15%,这对太阳能电池转换效率的提高起着至关重要的作用。尽管目前的 PECVD SiN 薄膜工艺已经以成熟工艺的姿态,大规模应用于生产工艺中,减反膜的优化设计尚有可观的潜力可以挖掘。1.晶硅电池及其组件结构简述1.1 晶硅电池组件的基本结构基于晶体硅电池(包括单晶硅电池和多晶硅电池)的光伏组件由背面玻璃或背膜、背面 EVA、电池片、正面 EVA、正面玻璃组成,如图 1 所示。图 1 晶体硅电池组件的基本结构其中,背面玻璃或背膜及 EVA 仅作保护之用,正面 EVA 兼具减反作用,正面玻璃镀上减反膜以后,可以进一步降低组件的反射率。而电池片中,绒面和减反膜对反射率的降低起到关键的作用。1.2 电池片减反膜的常规制备工艺常规晶体硅电池片制造工艺中,均采纳 SiN 薄膜作为减反膜。鉴于 SiN 薄膜具有优越的光学特性和电学特性,与 Si 衬底的折射率相匹配,同时与 Si 器件的制造工艺兼容,易于实现大规模的产业化制备,已经成为晶体硅太阳能电池制造工艺的不二选择。Si 材料的折射率为 3.,SiN 薄膜的折射率为 1.95~2.2,二者具有很好的匹配性。控制合理的折射率和薄膜厚度,可以使反射率降低约 15%。现有成熟工艺中,一般选用折射率为 2.0,厚度为 85nm。目前,均使用 PECVD 工艺方法制备 SiN 薄膜。该工艺方法利用 SiH4 和 NH3 气体在真空环境下,经射频电磁场激发的等离子体氛围中进行化学气相反应,生成...

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