米勒效应的影响:MOSFET的栅极驱动过程,可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后,MOSFET就会进入开通状态;当MOSFET开通后,Vds开始下降,Id开始上升,此时MOSFET进入饱和区;但由于米勒效应,Vgs会持续一段时间不再上升,此时Id已经达到最大,而Vds还在继续下降,直到米勒电容充满电,Vgs又上升到驱动电压的值,此时MOSFET进入电阻区,此时Vds彻底降下来,开通结束
由于米勒电容阻止了Vgs的上升,从而也就阻止了Vds的下降,这样就会使损耗的时间加长
(Vgs上升,则导通电阻下降,从而Vds下降)米勒效应在MOS驱动中臭名昭著,他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应,在MOS管开通过程中,GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值,过后GS电压又开始上升直至完全导通
为什么会有稳定值这段呢
因为,在MOS开通前D极电压大于G极电压,MOS寄生电容Cgd储存的电量需要在其导通时注入G极与其中的电荷中和,因MOS完全导通后G极电压大于D极电压
米勒效应会严重增加MOS的开通损耗
(MOS管不能很快得进入开关状态)所以就出现了所谓的图腾驱动
选择MOS时,Cgd越小开通损耗就越小
米勒效应不可能完全消失
MOSFET中的米勒平台实际上就是MOSFET处于“放大区”的典型标志用用示波器测量GS电压,可以看到在电压上升过程中有一个平台或凹坑,这就是米勒平台
米勒效应指在MOS管开通过程会产生米勒平台,原理如下
理论上驱动电路在G级和S级之间加足够大的电容可以消除米勒效应
但此时开关时间会拖的很长
一般推荐值加0
1Ciess的电容值是有好处的
下图中粗黑线中那个平缓部分就是米勒平台
删荷系数的这张图在第一个转折点处:Vds开始导通
Vds的变化通过Cgd和驱动源的内阻形成一个微分