实验二 场效应晶体管特性的测量与分析 一 前言 场效应晶体管不同于一般的双极晶体管。场效应晶体管是一种电压控制器件。从工作原理看，场效应晶体管与电子管很相似，是通过改变垂直于导电沟道的电场强度去控制沟道的导电能力，因而称为“场效应”晶体管。场效应晶体管的工作电流是半导体中的多数载流子的漂移流，参与导电的只有一种载流子，故又称“单极型”晶体管。通常用“FET”表示。 场效应晶体管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MISFET）两大类。目前多数绝缘栅型场效应应为金属-氧化物-半导体（MOS）三层结构，缩写为MOSFET。 本实验对结型、MOS 型场效应管的直流参数进行检测。场效应管按导电沟道和工作类型可分为： 耗尽型沟沟增强型耗尽型沟增强型耗尽型沟pnJFETpnMOSFETFET 检测场效应管特性，可采用单项参数测试仪或综合参数测试仪。同时，场效应管与双极管有许多相似之处，故通常亦采用XJ4810 半导体管图示仪检测其直流参数。 本实验目的是通过利用XJ4810 半导体管图示仪检测场效应管的直流参数，了解场效应管的工作原理及其与双极晶体管的区别。 二 实验原理 1 . 实验仪器 实验仪器为XJ4810 图示仪，与测量双极晶体管直流参数相似，但由于所检测的场效应管是电压控制器件，测量中须将输入的基极电流改换为基极电压，这可将基极阶梯选择选用电压档（伏/级）；也可选用电流档（毫安/级），但选用电流档必须在测试台的B-E 间外接一个电阻，将输入电流转换成输入电压。 测量时将场效应管的管脚与双极管脚一一对应，即 G（栅极） B（基极）； S（源极） E（发射极）； D（漏极） C（集电极）。 值得注意的是，测量 MOS 管时，若没有外接电阻，必须避免阶梯选择直接采用电流档，以防止损坏管子。 另外，由于场效应管输入阻抗很高，在栅极上感应出来的电荷很难通过输入电阻泄漏掉，电荷积累会造成电位升高。尤其在极间电容较小的情况下，常常在测试中造成 MOS 管感应击穿，使管子损坏或指标下降。因而在检测 MOS 管时，应尽量避免栅极悬空，且源极接地要良好，交流电源插头也最好采用三眼插头，并将地线（E 接线柱）与机壳相通。存放时，要将管子三个电极引线短接。 2. 参数定义 1）、输出特性曲线与转移特性曲线 输出特性曲线（IDS－VDS）即漏极特性曲线，它与双极管的输出特性曲线相似，如图2-1 所示。在曲线中...
